The key tasks of China's copper clad laminate (CCL) industry in the future development strategy, 在產品方面, 努力學習新知識 PCB基板資料, 並通過新型基材的開發和科技突破, 中國的覆銅板尖端科技得到了推廣. 以下列出的新型高性能覆銅板產品的開發是中國覆銅板行業工程師和科技人員在未來研發中關注的一個關鍵課題.
無鉛相容覆銅板
在10月11日的歐盟會議上,通過了兩項關於環境保護內容的“歐洲指令”。 他們將於2006年7月1日正式執行該決議。 這兩項“歐洲指令”是指“電力和電子產品廢物指令”(簡稱WEEE)和“限制使用某些有害物質”(簡稱RoHs)。 在這兩項法定指令中,明確提到了這些要求。 禁止使用含鉛資料。 囙此,響應這兩個指令的最佳管道是儘快開發無鉛覆銅板。
高性能覆銅板
The high-performance copper clad laminates referred to here include low dielectric constant (Dk) copper clad laminates, 高頻和高頻電纜用覆銅板 高速印刷電路板, 高耐熱覆銅板, and various substrate 材料 (resin coated Copper foil, 用層壓法構成多層PCB板絕緣層的有機樹脂膜, 玻璃纖維增强或其他有機纖維增強預浸料, 等.). In the next few years (to 2010), 在這種高性能覆銅板的開發中, 根據對電子安裝科技未來發展的預測, 應達到相應的性能指標值.
集成電路封裝載體基板資料
集成電路封裝基板(也稱為集成電路封裝基板)基板資料的開發是當前一個非常重要的課題。 這也是發展我國集成電路封裝和微電子技術的迫切需要。 隨著集成電路封裝向高頻低功耗方向發展,集成電路封裝基板將在低介電常數、低介電損耗因數和高導熱係數等重要效能方面得到改善。 未來研究和開發的一個重要課題是基板熱連接科技的有效熱協調和集成散熱。
為了保證集成電路封裝設計的自由度和新集成電路封裝技術的發展,必須進行模型試驗和模擬試驗。 這兩項任務對於掌握集成電路封裝基板資料的特性要求,即瞭解和掌握其電力效能、散熱效能、可靠性等要求具有重要意義。 此外,還應與集成電路封裝設計行業進一步溝通,達成共識。 開發的基板資料的效能將及時提供給完整電子產品的設計者,從而為設計者建立準確、先進的數據基礎。
IC封裝載體還需要解决熱膨脹係數與電晶體晶片不一致的問題. 即使它是一個 多層PCB 適用於生產精細電路的電路板, there is a problem that the thermal expansion coefficient of the insulating substrate is generally too large (generally, 熱膨脹係數為60ppm/°C). 基板的熱膨脹係數達到約6 ppm, 接近電晶體晶片, 這確實是基板製造技術的“困難挑戰”.
為了適應高速發展,基板的介電常數應達到2.0,介電損耗因數可接近0.001。 囙此,預計在2005年左右,世界上將出現新一代的印刷電路板,它們將超越傳統基板資料和傳統制造技術的界限。 科技上的突破,首先是新基材的使用上的突破。