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PCBA科技 - 關於SMT晶片加工化學蝕刻範本

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關於SMT晶片加工化學蝕刻範本

2021-11-06
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Author:Downs

化學蝕刻 SMT貼片處理 範本是範本國際的主要類型. 他們的成本最低,營業額最快. 化學蝕刻的不銹鋼範本是通過在金屬箔上塗抹防腐劑來製造的, 用針定位光敏物體,以暴露金屬箔兩側的圖案, 然後使用雙面科技從兩側腐蝕金屬箔. 因為科技是雙面的, 腐蝕劑穿透孔, 或開口, 發生在金屬中, 不僅從頂部和底部表面, 但也會橫向腐蝕. 此技能的固有特徵是形成刀刃, 或沙漏形狀. 當距離低於0時.020“, 此形狀有機會封锁錫膏. 這種缺陷可以通過一種叫做電解拋光的增强科技來减少.

可以通過化學蝕刻科技粗略地製作一個降壓或雙層範本。 該科技通過形成向下階梯形孔來减少所選組件中的錫含量。 例如,在相同的表徵中,幾個間距為0.050”~ 0.025”的組件(通常需要厚度為0.007”的範本)和幾個間距為0.020”的QFP(四扁平封裝),為了减少QFP中的錫膏量,這個0.007”厚度的範本可以產生0.005”厚度的向下階梯區域。 向下的臺階通常在範本的刮刀表面,因為範本的乾燥表面必須在整個板上。 儘管如此,建議在QFP和周圍組件之間至少提供0.100”,以允許刮板將錫膏完全分佈在範本的兩個級別。

電路板

就半蝕刻基準點和副標題而言,化學蝕刻範本也是最佳的. 用於校準打印機視覺系統的基準點可以半蝕刻,然後填充黑色樹脂,以使視覺系統與視覺系統容易識別的潤滑金屬場景形成對比. 包含零件號的標題塊, 製造日期和其他相關資訊也可以半蝕刻在 SMT範本 用於識別目的. 這兩種技能都是通過發展雙方的一半來完成的.

化學蝕刻的限制。 除了葉片邊緣的缺陷外,化學腐蝕的範本還有另一個約束:縱橫比。 簡而言之,該比率限制了可根據手邊金屬厚度進行蝕刻的最小孔開口。 通常,對於化學蝕刻範本,縱橫比定義為1.5:1。 囙此,對於厚度為0.006”的範本,最小孔開口將為0.009“(0.006”x1.5=0.009”)。 相反,對於電鑄和鐳射切割範本,縱橫比為1:1,即可以通過任何科技在厚度為0.006”的範本上創建0.006”開口。

電解拋光是一種電解後端科技,用於“拋光”孔壁,從而减少表面摩擦、優异的焊膏釋放和一般减少。 它還可以大大减少範本底面的清潔。 電解拋光是通過將金屬箔附著在電極上並將其浸入酸浴中來實現的。 電流導致腐蝕物腐蝕孔的粗糙表面,對孔壁的影響大於對金屬箔頂部和底部表面的影響,從而產生“拋光”效應。 然後,在腐蝕劑作用於頂部和底部表面之前,去除金屬箔。 通過這種管道,SMT孔壁的表面被拋光,囙此焊膏將被刮刀有效地滾動(而不是推)在範本的表面上,並填充孔。

對於0.020”以下的距離,改善焊膏釋放的另一種科技是梯形截面孔徑(TSA)。

Trapezoid face section (TSA) is an opening whose contact surface (or bottom surface) of the template is 0.001~0.002" larger than the size of the scraper surface (or top surface). 梯形面部分可以通過兩種方式完成:通過選擇性修整特殊部件, 那就是, 使雙面顯影物體的接觸面大於刮刀表面; 也許可以通過改變腐蝕噴霧頂部和底部表面的壓力設定來生成所有梯形橫截面範本. 電解拋光後, 孔壁的幾何形狀允許焊膏的釋放距離小於0.020“. 此外, 由此產生的錫膏堆積為梯形“磚”形, 這有助於穩定放置 SMT組件 更少的焊橋.