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當今領先的晶片設計需要突破基於光學的目標近似計算、統計採樣和單層控制等新的量測類別
PROVision 3E系統通過集成納米分辯率、高速和穿透成像，為工程師提供數百萬個數據點，以滿足他們正確完成最先進晶片設計圖形的需要
我們為世界領先的鑄造邏輯晶片、DRAM和NAND客戶安裝了30套該系統
2021 10月18日，加利福尼亞州聖克拉拉-應用資料公司今天發佈了其獨特的電子束量測系統。 該系統實現了基於大規模設備量測、晶片間量測和穿透量測的圖形控制新策略。
規定基於新的圖形控制策略，3E系統通過集成納米分辯率、高速和穿透成像，為工程師提供數百萬個數據點，以滿足他們正確完成最先進晶片圖形設計的需要
先進的晶片是逐層構建的。 為了製造具有光電特性的正常電晶體和互連結構，必須逐個完美地映射和對齊數十億個獨立特徵。 隨著整個行業從簡單的二維設計向更激進的多圖形和3維設計的轉變，測量方法也需要相應的突破，以提高每個關鍵級別，以實現最佳效能、功率、面積成本和上市時間（ppact）
傳統的圖形控制策略
傳統上，圖形控制是通過使用光學光刻量測設備來實現的，以幫助保持晶粒上的圖形與“光刻標記”一致。 這些光刻標記通過掩模刻在晶粒和晶粒之間，並在切片時從晶片上移除。 可以通過對整個晶片的數據進行採樣來計算光刻標記的近似值。
然而，在連續幾代的特徵小型化、多種圖形的廣泛採用以及導致層間畸變的3D設計的引入之後，由傳統方法引起的量測缺陷或“盲點”正在新增，這使得工程師越來越難以將預期圖形與片上結果正確關聯。
新的圖形控制策略
隨著新的電子束系統科技的誕生，客戶可以直接、高速地量測整個晶片和各個層次的半導體器件結構，客戶可以大步邁向基於大數據的新圖形控制策略的轉變。 Provision 3E系統是應用資料公司為這一新戰畧專業設計的最新電子束量測創新技術。
Keith wells，應用資料集團副總裁兼成像和過程控制部總經理， 說： “作為電子束科技的領導者，applied 材料為客戶提供了一種新的圖形控制策略，該策略針對最先進的邏輯晶片和存儲晶片進行了優化。provision 3E系統的分辯率和速度使其能够突破光學量測的盲點，不僅在整個晶片上，而且在多個不同級別的晶片Accu之間 速率量測為晶片製造商提供了立方體，以滿足其改進PPAC和加速新工藝科技和晶片快速推出的需求。 “
第3E條系統
provision 3E系統包含多種科技功能，以支持最先進設計所需的圖形控制能力，包括3納米晶圓鑄造邏輯晶片、全環繞栅電晶體、下一代DRAM和3D NAND。
分辯率：應用資料公司行業領先的電子束筒科技可以提供現時可以達到的最高電子密度，並支持1 nm分辯率的精細成像。
精度：憑藉數十年的CD SEM系統和算灋專業知識，為關鍵特徵提供準確和高精度的量測。
速度：每小時可進行1000萬次量測，量測結果準確可行。
多層：應用資料的獨特發光器。該科技可以捕獲95%的後向散射電子，以同時快速量測多個級別的關鍵尺寸和邊緣佈局。
範圍：支持廣泛的電子束能級。 高能模式支持數百納米深度的快速量測。 低能模式支持各種脆性資料和結構的無損量測，包括EUV光刻膠
通過結合這些特點，客戶可以擺脫由光學印記識別近似計算、有限統計採樣和單層控制組成的舊圖形控制策略，實現基於大規模器件的片上、跨晶片和滲透量測和控制的新策略。
流程選單優化
