精密PCB製造、高頻PCB、高速PCB、標準PCB、多層PCB和PCB組裝。
PCB科技

PCB科技 - PCB多層電路板細線生產的實際問題

PCB科技

PCB科技 - PCB多層電路板細線生產的實際問題

PCB多層電路板細線生產的實際問題

2021-08-27
View:444
Author:Aure

PCB多層電路板細線生產的實際問題

隨著電子工業的發展, 電子元器件的集成度越來越高, 而且尺寸越來越小, BGA型封裝被廣泛使用. 因此, 的電路 多層PCB 會變得越來越小, 電路板層數將新增. 要减少線寬和行距,就要盡可能使用有限的區域, 新增層數就是利用空間. 未來的主電路 PCB多層電路板 將為2.-3mil或更少.

一般認為,每次耗電元件電路板新增或上升一個水准, 有必要投資一次, 投入資金相對較大. 換句話說,高端電路板 被高端設備消耗. 然而, 不是每個企業都能負擔得起大規模投資, 投資之後, 它將進行實驗以收集工藝資料, 試生產將花費大量的時間和金錢. 例如, 根據公司現狀進行試驗和試生產是一種更好的管道, 然後根據實際情況和市場情况决定是否出資. 本文詳細描述了正常設備條件下可消耗的細線寬度限制, 以及使用細線的條件和方法.

一般的生產工藝可分為帽孔酸蝕法和圖案電鍍法,兩者各有優缺點。 酸蝕法得到的電路非常均勻,有利於阻抗控制,對環境污染少,但如果破了孔,則構成浪費; 堿蝕消耗控制相對簡單,但電路不均勻,環境污染也較大。

首先,幹膜是電路生產的主要內容。 不同的幹膜具有不同的分辯率,但通常在曝光後可以顯示2mil/2mil的線寬。 一般曝光機的分辯率可以達到2mil,一般在這裡。 比例尺內的線寬和行距不會有問題。 對於線寬為4mil/4mil或更大的顯影機的噴嘴,藥物溶液的壓力和濃度不是很相關。 在3mil/3mil線寬和線間距以下,噴嘴是分辯率的關鍵。 通常,使用扇形噴嘴,壓力約為3BAR。

當然,曝光能量對電路有很大的影響,但一般來說,現時市場上使用的大多數幹膜曝光標度都比較寬。 可在12-18級(25級曝光尺規)或7-9級(21級曝光尺規)進行區分。 一般來說,較低的曝光能量有利於分辯率,但當能量過低時,可以區分空氣中的灰塵和各種雜質。 物質對其影響很大,後續過程會形成斷路(酸腐蝕)或短路(堿腐蝕)。 囙此,在實際使用過程中,應將暗室的清潔度分開。 這樣,就可以根據實際情況選擇可以消費的PCB多層。 電路板電路的最小線寬和線間距。


PCB多層電路板細線生產的實際問題

線越小,顯影條件對分辯率的影響越明顯。 當回路高於4.0英里/4.0英里時,開發條件(速度、糖漿濃度、壓力等)無明顯影響; 當回路為2.0英里/2.0/mil時,噴嘴的形狀和壓力與回路能否正常開發有關。 關鍵的作用是此時顯影速度可能會顯著降低,糖漿的濃度可能會影響電路的外觀。 可能的原因是扇形噴嘴的壓力大。 在兩條線之間的距離很小的情况下,脈衝仍然可以到達幹膜。 底部,以便進行開發; 錐形噴嘴壓力小,囙此很難形成細線。 另一塊板的方向對幹膜的分辯率和側壁有顯著影響。

不同的曝光機有不同的分辯率。 現時使用的一種曝光機是風冷表面光源,另一種是水冷點光源。 其標稱分辯率為4mil。 但試驗表明,無需特殊調整或操作,即可達到3.0英里/3.0英里; 使其達到0.2mil/0.2/mil; 能量下降時可以分辨出1.5mil/1.5mil,但操作需要認真,粉塵和碎屑的影響很大。 此外,在實驗中,聚酯薄膜表面和玻璃表面的分辯率沒有顯著差异。

關於鹼性蝕刻, 電鍍後總有蘑菇效應, 一般來說,這只是重要與不重要之間的區別. 如果線條大於4.0英里/4.0mil, 蘑菇效應較小.

當線路為2時.0mil/2.0mil, 影響非常大. 由於電鍍過程中鉛和錫的溢出,幹膜形成蘑菇狀, 幹膜被夾住,很難去除.

處理方法如下:

1、採用脈衝電鍍,使鍍層均勻;

2、使用較厚的幹膜,一般幹膜為35-38微米,較厚的幹膜為50-55微米,成本較高,這種幹膜更適合用於酸蝕;

3、採用小電流電鍍。 但這些方法並不完整。 在實踐中,很難有一個非常可靠的方法。 由於蘑菇效應,細線的薄膜去除非常麻煩。 由於在2.0mil/2.0mil條件下,氫氧化鈉對鉛錫的腐蝕非常嚴重,囙此可以通過在電鍍過程中增稠鉛錫和降低氫氧化鈉濃度來處理。

鹼性蝕刻期間, 不同線寬的速度不同, 而且線條的速度不同. 假設電路板在生產線厚度方面沒有特殊要求, 選擇一個 PCB多層電路板 銅箔厚度為0.25oz或0.5 oz的部分基礎銅被蝕刻掉, 電鍍銅更薄, 鉛錫增稠, 等., 所有這些都會影響使用鹼性蝕刻來製作細線條, 噴嘴需要呈扇形. 錐形噴嘴通常只能達到4.0mil/4.0mil.

在酸蝕過程中,與堿蝕相同的是,不同的線寬和線型速度是不同的,但總的來說,幹膜很容易用於酸蝕。 在轉移和之前的過程中,遮罩膜和表面膜破裂或劃傷。 囙此,您在食用時需要小心。 酸蝕的線效應優於堿蝕。 無蘑菇效應,側面腐蝕小於鹼性腐蝕。 此外,扇形噴嘴的效果明顯優於錐形噴嘴。 酸蝕後,導線的阻抗略有變化。

在生產過程中,薄膜的速度和溫度、電路板表面的清潔度以及重氮薄膜的清潔度對通過率有較大的影響。 酸蝕膜的參數和板的平整度尤為重要; 對於堿腐蝕,暴露清潔度非常重要。

囙此,一般設備可以用3.0mil/3.0mil(指膠片線寬和距離)完成,無需特別調整; 但合格率受環境熟練程度和操作水准以及人員操作的影響,堿腐蝕消耗量以3.0mil/3.0mil為宜