PCB-Neuigkeiten - Elektronenstrahl-Messsystem freigegeben von applied materials company

Das heutige führende Chipdesign muss die neuen Messkategorien optisch basierter Sollapproximationsberechnung, statistischer Probenahme und Einschicht-Steuerung durchbrechen

PROVision ® 3E System bietet Ingenieuren Millionen von Datenpunkten durch Integration von Nanoauflösung, Hochgeschwindigkeits- und Penetrationsbildgebung, um ihren Anforderungen gerecht zu werden, um die Grafiken des fortschrittlichsten Chipdesigns korrekt zu vervollständigen

Wir haben 30-Sätze dieses Systems für die weltweit führenden Gießerei-Logik-Chips, DRAM- und NAND-Kunden installiert

Oktober 18, 2021, Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials hat heute sein einzigartiges Elektronenstrahlmesssystem veröffentlicht. Das System ermöglicht eine neue Strategie zur grafischen Steuerung basierend auf Messungen an Großgeräten, Kreuzwafermessung und Penetrationsmessung.

PROVision ® Basierend auf der neuen grafischen Steuerungsstrategie bietet das 3E-System Ingenieuren Millionen von Datenpunkten durch die Integration von Nanoauflösung, Hochgeschwindigkeits- und Penetrationsbildgebung, um ihre Anforderungen an die korrekte Vervollständigung des grafischen Designs des fortschrittlichsten Chips zu erfüllen.

Fortschrittliche Chips werden Schicht für Schicht aufgebaut. Milliarden unabhängiger Merkmale müssen einzeln perfekt abgebildet und ausgerichtet werden, um normale Transistoren und Verbindungsstrukturen mit photoelektrischen Eigenschaften herzustellen. Mit der Transformation der gesamten Industrie vom einfachen zweidimensionalen Design zu radikaleren multigraphischen und dreidimensionalen Design benötigen Messmethoden auch entsprechende Durchbrüche, um jede Schlüsselebene zu verbessern, um die beste Leistung, Leistung, Flächenkosten und Time-to-Market (ppact) zu erreichen ™).

Traditionelle grafische Steuerungsstrategie

Traditionell wird die grafische Steuerung durch den Einsatz optischer Lithographiemessgeräte realisiert, um die Grafiken auf dem Korn konsistent mit den "Lithographiemesszeichen" zu halten. Diese Lithografie-Markierungen werden zwischen dem Korn und dem Korn durch die Maske graviert und werden beim Schneiden vom Wafer entfernt. Der ungefähre Wert der Lithographiemarken kann durch Probenahme der Daten des gesamten Wafers berechnet werden.

Nach aufeinanderfolgenden Generationen der Miniaturisierung von Merkmalen, der breiteren Akzeptanz mehrerer Grafiken und der Einführung des 3D-Designs, das zu Interlayer-Verzerrungen führt, nehmen die Messfehler oder "blinde Flecken" zu, die durch traditionelle Methoden verursacht werden, was es für Ingenieure zunehmend schwierig macht, die erwartete Grafik korrekt mit den On-Chip-Ergebnissen zu verknüpfen.

Neue grafische Steuerungsstrategie

Mit der Geburt der neuen Elektronenstrahl-Systemtechnologie können Kunden direkt und mit hoher Geschwindigkeit die Struktur der Halbleiterbauelemente über den gesamten Wafer und über alle Ebenen messen und Kunden können in Richtung Transformation einer neuen grafischen Steuerungsstrategie auf Basis von Big Data schreiten. Provision® 3E System ist die neueste Technologie der Elektronenstrahlmessung, die speziell von der Firma für angewandte Materialien für diese neue Strategie entwickelt wurde.

Keith Wells, Vizepräsident der Applied Materials Group und General Manager der Abteilung Bildgebung und Prozesssteuerung, sagte: "Als führendes Unternehmen in der Elektronenstrahltechnologie bietet das eingesetzte Material seinen Kunden eine neue grafische Steuerungsstrategie, die für die fortschrittlichsten Logikchips und Speicherchips optimiert ist. Die Auflösung und Geschwindigkeit des Bereitstellungssystems 3E ermöglichen es, den toten Winkel der optischen Messung zu durchbrechen, nicht nur über den gesamten Wafer, sondern auch zwischen mehreren verschiedenen Ebenen des Chips Accu Die Geschwindigkeitsmessung stellt Chipherstellern Würfel zur Verfügung, um ihre Anforderungen zu erfüllen, um PPAC zu verbessern und die schnelle Einführung neuer Prozesstechnologien und Chips zu beschleunigen. "

Bereitstellung 3E-System

Das bereitgestellte 3E-System enthält eine Vielzahl von technischen Funktionen, um die grafische Steuerungsfähigkeit zu unterstützen, die für das fortschrittlichste Design erforderlich ist, einschließlich 3-nm Wafer Foundry Logic Chip, Full Surround Gate Transistor, DRAM der nächsten Generation und 3D NAND.

Auflösung: Die branchenführende Elektronenstrahl-Barrel-Technologie des angewandten Materialunternehmens kann die höchste Elektronendichte bereitstellen, die derzeit erreicht werden kann und feine Bildgebung mit 1-nm-Auflösung unterstützen.

Genauigkeit: Mit jahrzehntelanger CD-SEM-System- und Algorithmus-Expertise bieten wir genaue und hochpräzise Messungen für Schlüsselmerkmale.

Geschwindigkeit: Es kann zehn Millionen Messungen pro Stunde durchführen, und die Messergebnisse sind genau und machbar.

Multilayer: einzigartiger Elluminator aus Applied Materials ® Die Technologie kann 95% der zurückgestreuten Elektronen erfassen, um die Schlüsselabmessungen und das Kantenlayout mehrerer Ebenen gleichzeitig zu messen.

Bereich: Unterstützung eines breiten Spektrums von Elektronenstrahlenergieniveaus. Der Hochenergiemodus unterstützt schnelle Messungen mit einer Tiefe von Hunderten von Nanometern. Niedrigenergiemodus unterstützt zerstörungsfreie Messungen verschiedener spröder Materialien und Strukturen, einschließlich EUV-Fotolack

Durch die Kombination dieser Funktionen können Kunden die alte grafische Steuerungsstrategie loswerden, die aus der approximativen Berechnung der optischen Abdruckidentifikation, begrenzter statistischer Probenahme und Einzelschichtsteuerung besteht, und eine neue Strategie realisieren, die auf On-Chip-, Cross-Wafer- und Penetrationsmessung und Steuerung von Großgeräten basiert.

Optimierung des Prozessmenüs

Bereitstellung 3E System ist auch AIX (effektiver Erkenntnisbeschleuniger) der angewandten Materialien Unternehmen Schlüsselkomponenten der Plattform, die organisch Prozesstechnologie, Sensoren und Datenanalyse kombiniert, so dass jede Stufe der Prozesstechnologie Entwicklung, von Forschung und Entwicklung; D, der Kapazitätsaufbau zur Massenproduktion, kann ausnahmslos deutlich beschleunigt werden. Die AIX-Plattformanalyse verknüpft Prozessvariablen mit den Messergebnissen auf Wafern, die durch Bereitstellung 3E erfasst wurden, um Ingenieuren zu helfen, die Prozessentwicklung zu beschleunigen Verdoppeln und das Prozessfenster um 30%zu erweitern