Präzisions-Leiterplattenherstellung, Hochfrequenz-Leiterplatten, mehrschichtige Leiterplatten und Leiterplattenbestückung.
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Analyse von Hochfrequenzschaltungen in CAD
Leiterplattenhersteller: When the operating frequency is higher (about 2GHz), Die Signalwellenlänge kann schrittweise mit der Gerätegröße verglichen werden. Die Impedanz der Chipinduktivität weist eine offensichtliche Verteilungskennlinie auf, das ist, unterschiedliche Impedanzen an verschiedenen Bezugspositionen vorhanden. Unter Hochfrequenzbedingungen, Die Schaltungsansprache des Geräts kann mit seiner Größe und räumlichen Struktur variieren. Konventionelle Impedanzmessparameter können die Ansprechcharakteristika des tatsächlichen Schaltkreises nicht mehr genau wiedergeben. Nehmen Sie die HF-Leistungsverstärkerschaltung eines bestimmten Mobiltelefonmodells als Beispiel. Two of the Hochfrequenz inductors (operating frequency 1.9GHz) used for Impedanz matching use photolithographic film inductors. Wenn die gleichen Spezifikationen und Genauigkeit verwendet werden, der Q-Wert ist deutlich höher. The laminated chip inductor (measurement instrument HP-4291B) was replaced, aber das Ergebnis war, dass der Übertragungsgewinn der Schaltung um fast 10%sank. Es zeigt, dass der übereinstimmende Zustand der Schaltung beeinträchtigt ist. Die Niederfrequenzanalysemethode kann das Hochfrequenzanwendungsproblem offensichtlich nicht genau erklären. It is not suitable to focus only on the high-frequency analysis of the chip inductors with L () and Q (), zumindest nicht genug.
Die elektromagnetische Feldtheorie wird häufig in der Technik verwendet, um hochfrequente Anwendungsprobleme mit verteilten Eigenschaften zu analysieren. Allgemein, in the measurement of chip inductors with an impedance analyzer (HP-4291B), Die Messgenauigkeit kann auf ca. 0 erhöht werden.1nH durch Vorrichtungskompensation und Gerätekalibrierung, das theoretisch ausreicht, um die Genauigkeitsanforderungen für das Schaltungsdesign zu gewährleisten. Allerdings, the problem that cannot be ignored is that the measurement results at this time only reflect the parameter performance between the terminal electrode interfaces of the inductance device under the matching state (the measuring fixture is designed to be accurately matched), und die interne elektromagnetische Verteilung der Induktivitätseinrichtung und die Anforderungen der externen elektromagnetischen Umgebung. Die Induktivität desselben Prüfparameters kann aufgrund unterschiedlicher interner Elektrodenstrukturen völlig unterschiedliche elektromagnetische Verteilungszustände aufweisen. Unter Hochfrequenzbedingungen, the actual circuit application environment of chip inductors (approximate matching, dichte Montage, PCB distribution influence) and test environment are often There are differences, it is very easy to produce various complex near-field reflections and slight changes in the actual response parameters (L, Q). Für die niederinduktive Induktivität im HF-Schaltkreis, Diese Art von Einfluss kann nicht ignoriert werden. Wir nennen diese Art von Einfluss "verteilten Einfluss".
Bei der Auslegung von Hochfrequenzschaltungen (einschließlich digitaler Hochgeschwindigkeitsschaltungen) basieren Überlegungen wie Schaltungsleistung, Geräteauswahl und elektromagnetische Verträglichkeit in der Regel auf Netzstreuungsanalyse (S-Parameter), Signalintegritätsanalyse, elektromagnetische Simulationsanalyse, Schaltungssimulationsanalyse usw. Mittel, die Leistung des eigentlichen Schaltungssystems umfassend zu betrachten. Mit dem Ziel, das Problem des "verteilten Einflusses" von Chip-Induktivitätsgeräten anzugehen, besteht eine praktikable Lösung darin, strukturelle elektromagnetische Simulation von Induktivitätsgeräten durchzuführen und die entsprechenden SPICE-Schaltungsmodellparameter als Grundlage für den Schaltungsdesign genau zu extrahieren, wodurch die Induktivität effektiv reduziert wird. Zu den technischen Parametern von Chipinduktionsprodukten großer ausländischer (japanischer) Komponentenhersteller gehören meist S-Parameter, die normalerweise für eine genaue Hochfrequenz-Anwendungsanalyse verwendet werden können.
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