精密PCB製造、高頻PCB、高速PCB、標準PCB、多層PCB和PCB組裝。
隨著電子產品小型化、便攜化、多功能、低功耗和低成本的發展趨勢，二維（2.D）封裝技術已經不能滿足要求，一些產品已經開始向2.5D或3D封裝方向發展。 在2.5D或3D封裝結構中，矽基轉接器板與有機基板的結合是實現晶片與晶片、晶片與基板互連的重要途徑。
這個 傳統的 <一 h重新f="一_h重新f_0" t一rget="_bl一nk" t它le="PCB 製造業">PCB製造 過程 屬於 TSV公司公司公司 轉接器 基底 是 像 跟隨： 1) 製作 失明的 洞 在…上 這個 基底 2) 這個 鈍化 層 在…上 這個 一邊 牆 屬於 這個 通過 洞 是 沉積 通過 PECVD公司 在…上 一 一邊 屬於 這個 基底 3) 通過 洞 側壁 粘附 / 擴散 障礙 層 和 種子 層 金屬 是 沉積 在…上 這個 基底 通過 單面的 磁控管 濺射； 4) 通過 洞 金屬 填滿 是 完整的 通過 電鍍 過程 5) 通過 洞 金屬 壓扁； 6) 這個 通孔，通孔 金屬 在…上 這個 返回 屬於 這個 基底 是 暴露的 通過 間伐； 7) 製作 金屬 裝電線, 襯墊 和 它的 防護的 層.
這個 傳統的 TSV 轉移 <一 h重新f="a_h重新f_1" target="_blank" title="集成電路 基底">IC基板 準備 方法 有 這個 下列的 缺陷 或 缺點：
（1）PECVD沉積的深孔側壁鈍化層均勻性較差。 深孔底部保溫層厚度僅為頂部保溫層厚度的1/5左右，底部保溫層覆蓋較差。 易產生不連續缺陷，嚴重影響絕緣效果和可靠性。 這也限制了鈍化層沉積工藝的深寬比沉積能力；
（2）磁控濺射深孔側壁的粘附/擴散阻擋層和種子層的均勻性較差。 深孔底部厚度僅為頂部厚度的1/5左右。 深孔底部覆蓋不良。 電鍍過程中容易產生不連續缺陷，導致空洞，嚴重影響通孔的可靠性。 現時，最先進的磁控濺射設備的沉積容量不足15:1，限制了TSV的沉積容量；
（3）當深孔縱橫比為20:1-30:1時，難以實現無孔電鍍填充工藝，大孔徑會佔用元件的裝配面積，减少佈線面積，不利於高密度封裝；
（4）限於傳統的TSV轉移基板制造技術，轉移基板的厚度通常小於200mm。它只能用作轉移基板，不能直接與整個板組裝；
（5）TSV轉接板成本高，封裝工藝複雜，在許多封裝技術中沒有成本優勢；
（6）由於矽和有機襯底資料的物理差异，TSV轉接器板存在可靠性問題，囙此難以集成結構；
（7）普通有機基板可以滿足一般密度的封裝要求，但不能達到超高密度的封裝要求（如低於55um間隔的凸點反向安裝）。
這個 意圖 屬於 這個 公用事業 模型 是 實現 像 follows
這個 結構 屬於 a 集成電路封裝基板 包括 a 常見的 基底, 其中 這個 上面的 表面 屬於 這個 常見的 基底 是 假如 具有 a 多元化 屬於 墊 I, 和 這個 降低 表面 是 假如 具有 a 多元化 屬於 墊 二、,
還包括超高密度基板、高密度晶片、低密度晶片和封裝層I。封裝層I設定在普通基板的上表面。 超高密度基板由幾層高密度佈線金屬層和在它們之間選擇性間隔的絕緣層組成，上表面設有焊盤，兩層或多層高密度佈線金屬層彼此選擇性電連接，超高密度基板嵌入封裝層I， 其上表面和焊盤從封裝層I露出，超高密度基板上表面上的部分焊盤與高密度晶片反向連接，在高密度晶片的垂直區域外形成多個基板外金屬電極， 基板的外金屬電極部分的上表面與低密度晶片反向連接，基板的外金屬電極的下表面通過穿透封裝層I的盲孔和盲孔中的金屬與普通基板的部分焊盤I連接， 基板的外金屬電極的下表面的一部分與超高密度基板的焊盤的一部分連接，焊盤II具有焊料凸點。 本實用新型的超高密度基板的高密度重佈線金屬層的線寬/線距小於6/6um。 或者，超高密度基板的高密度重佈線金屬層的線寬/線寬為5/5um、3/3um或1.8./1.8um。 本實用新型的超高密度基板的高密度佈線金屬層層數在五層以上。 或者，超高密度基板的高密度重佈線金屬層的層數為6、7和8。 本實用新型還包括封裝層II，封裝層II覆蓋高密度晶片、低密度晶片、高密度基板的外露部分、封裝層I和基板的外金屬電極。 或者，它還包括通孔，通孔穿透覆層I和公共基板，通孔的內部填充金屬，基板的外部金屬電極的一部分的下表面通過通孔中的金屬與公共基板的部分焊盤II連接。
本實用新型的有益效果是：
本實用新型的混合密度封裝基板結構採用超高密度有機基板代替矽中間層，並嵌入普通有機基板結構中，以提供更小的線寬/線距和更多層的高密度佈線金屬層， 將多個高密度晶片和低密度晶片集成封裝在同一封裝區域內，不僅可以有效縮短資訊傳輸路徑，還可以實現更多功能、更大功率和更多引線，有利於更快的訊號傳輸，以適應高速電晶體IC組件的快速改進， 高頻大容量，進一步减小整體封裝厚度，是一種經濟高效的柔性封裝技術，能够適應許多受空間影響的高性能應用；
本實用新型充分利用了超高密度基板的柔性特性，提高了包裝可靠性，有利於提高產品收率。
其中：超高密度基板10、外金屬電極110、盲孔150、通孔170、普通基板20、焊盤I 230、焊盤II 250、焊球251、熔覆層I 310、熔覆層II 430、高密度晶片51、低密度晶片53、熔覆層II 610。
具體實施模式示例
普通ic基板20一般是指用於ic製造電子封裝基板和承載電子元件的主機板的基本資料。 它具有導電、絕緣和支撐3種功能。 通常，基板為覆銅層壓板。 通過選擇性孔處理、化學鍍銅、鍍銅、蝕刻等，在基板上獲得電路圖形，並在公共基板20的上表面上形成多個焊盤i230和多個焊盤2 250。 一般來說，普通基板20的金屬層寬度/線寬為40/40微米、20/20微米和8/8um，在極限情况下，線寬/線寬可以達到10/10微米。 本實用新型的封裝基板的結構設定在普通基板20的上方，具有柔性特徵的超高密度基板10。 超高密度基板10由多層高密度重新佈線金屬層和在它們之間選擇性間隔的絕緣層組成。 在兩個或多個高密度重新佈線金屬層之間存在選擇性電力連接。 所述焊盤設定在超高密度基板10的上表面，具有輕、薄、抗跌落、高形狀塑性的特點。 可以看出，與普通基板20相比，UHD基板10的寬度/線距更小，高密度再佈線金屬層的層數更多，組織面積再佈線金屬層更緻密。 囙此，它被稱為超高密度基板10，其總厚度不超過100微米，這有利於降低整體ic封裝厚度。
這個 包裝材料 基底 屬於 這個 公用事業 模型 採用 這個 晶圓 數量 處理 tech不logy, 做 不 需要 到 使用 這個 複雜的 TSV 過程, 避免 a 系列 屬於 問題 這樣的 as 深的 洞 electro電鍍 過程, 和 這個 應用 屬於 這個 靈活的 ultra-高的 密集 ic基板 10 改進 這個 包裝材料 可靠性, 哪一個 是 有利於 到 這個 改善 屬於 產品 產量.
