集成電路基板 - 晶片封裝基板相關封裝工藝流程

封裝基板或中間層是BGA封裝的重要組成部分。 除了用於互連佈線外，它還可以用於阻抗控制和電感器/電阻器/電容器集成。 囙此，要求基板資料具有高玻璃轉換溫度rS（約175~230攝氏度）、高尺寸穩定性、低吸濕性、良好的電效能和高可靠性。 金屬膜、絕緣層和基底介質也具有高粘附效能。

1.線鍵合PBGA的包裝工藝

（1）BGA基板的製備

將Extremethin（12~18μm厚）銅箔層壓在BT樹脂/玻璃芯板的兩側，然後通過鑽孔和通孔進行金屬化。 使用傳統的PCB加3232科技，在基板的兩側創建圖案，如引導帶、電極和用於安裝焊球的焊料區域陣列。 然後添加一個焊料掩模，並創建一個暴露電極和焊料區域的圖案。 為了提高生產效率，單個基板通常包含多個PBG基板。

（2）工藝流程

晶圓减薄到晶圓切割、晶片鍵合和等離子清洗-引線鍵合-等離子清洗-成型封裝-組裝焊球-回流焊接-表面標記到分離，最終檢查和測試桶式封裝晶片鍵合，用銀填充環氧樹脂粘合劑鍵合在IC晶片的基板上，然後使用金線鍵合連接實現晶片和基板，然後模制和封裝或倒入液態膠以保護晶片、焊絲和焊盤。 使用專門設計的抽吸工具將直徑為30mil（0.75mm）、熔點為183攝氏度的焊球62/36/2Sn/Pb/Ag或63/37/Sn/Pb放置在焊盤上，並在最高加工溫度不超過230攝氏度的傳統回流焊爐中進行回流焊接。 然後使用CFC無機清潔劑對基板進行離心清潔，以去除包裝上殘留的焊料和纖維顆粒，然後進行標記、分離、最終檢查、測試和入庫。

BGA封裝

2.C-CBGA封裝工藝

（1）CBGA基板

FC-CBGA基板是一種多層陶瓷基板，其生產相當困難。 由於基板的佈線密度高，間距窄，通孔多，對基板的共面要求更高。 其主要工藝是：首先將多層陶瓷晶片高溫共燒成多層陶瓷金屬化基板，然後在基板上製作多層金屬佈線，然後電鍍。 在CBGA的組裝過程中，基板、晶片和PCB電路板之間的CTE不匹配是導致CBGA產品失效的主要因素。 為了改善這種情況，除了使用CCGA結構外，還可以使用另一種陶瓷基板——HITCE陶瓷基板。

（2）工藝流程

晶圓凸塊、晶片翻轉和回流焊的準備-）底部填充凸塊導熱脂，分配密封桶焊球組件-）回流桶標記+分離凸塊最終檢查桶測試桶包裝。

3.引線鍵合TBGA的封裝工藝流程

（1）BGA載體

TBGA載體通常由聚醯亞胺資料製成。 在生產過程中，載體帶的兩側都塗有銅，然後鍍鎳和鍍金，然後沖孔和通孔金屬化並製作圖形。 在這種引線鍵合的TBGA中，封裝的散熱器是封裝的附加固體和外殼的芯腔基座。 囙此，在包裝之前，應使用壓敏粘合劑將載帶粘合到散熱器上。

（2）包裝工藝流程

晶圓减薄-晶圓切割-晶片鍵合-清潔-引線鍵合-等離子清洗-液體密封劑填充-焊球組裝-回流焊接-表面標記-分離-最終檢查-測試-封裝。