電路設計 - 3.3V雙14比特ADC的PCB電路板設計

以下是3.3V雙14比特ADC的PCB電路板設計介紹：

MAX12557簡介

MAX12557是一個雙3.3V 14比特模數轉換器（ADC），具有全差分寬帶採樣/保持（T/H）輸入，用於驅動內部量化器。 MAX12557針對低功耗、小尺寸和高動態效能進行了優化，適用於中頻（IF）和基帶採樣應用。

MAX12557電路設計的一般建議如下。

（1）引脚2和3、INAP和INAN：為了獲得最佳的交流效能，根據具體應用，這些引脚與地之間應並聯一定的電容，電容範圍為5.6-12pF。 這些電容器可以包括在驅動ADC的抗混疊濾波器中，並且應該放置在PCB的頂層。

（2）引脚6，COMA:COMA通過具有良好高頻效能的2.2¼F陶瓷電容器旁路到GND。

（3）引脚7，REFAP：通過位於PCB頂部的高頻陶瓷電容器（最大1.0μF）將REFAP旁路到GND。 所有REFAP連接應盡可能短。

（4）引脚8，REFAN：通過位於PCB頂層的高頻陶瓷電容器（最大1.0μF）將REFAN旁路到GND。 所有REFAN連接應盡可能短。 （5）引脚10，REFBN：通過位於PCB頂層的高頻陶瓷電容器（最大1.0μF）將REFBN旁路到GND。 所有REFBN連接應盡可能短。

（6）引脚11，REFBP：通過位於PCB頂層的高頻陶瓷電容器（最大1.0μF）將REFBP旁路到GND。 所有REFBP連接應盡可能短。

（7）引脚12，COMB:COMB通過具有良好高頻效能的2.2¼F陶瓷電容器旁路到GND。

（8）引脚15和引脚16，INBN和INBP：為了獲得最佳的整體交流效能，根據具體應用，這些引脚與地之間應並聯一定的電容，電容值為5.6-12pF。 這些電容器可以包括在驅動ADC的抗混疊濾波器中，並且應該放置在電路板的頂層。

（9）引脚23、26、61、63（VDD）：使用具有良好高頻效能的1.0μF陶瓷電容器和具有2.2μF或更高高頻效能的陶瓷電容器並聯，將VDD旁路到GND。

（10）引脚27、43、60（OVDD）：使用具有良好高頻效能的1.0μF陶瓷電容器和具有2.2μF或更高高頻效能的陶瓷電容器並聯，將VDD旁路到GND。

（11）引脚28至41（D0B至D13B）：為數據輸出引脚添加串聯電阻。 該串聯電阻器可以限制從輸出驅動器流出並返回晶片內部GND的高頻邊緣電流。 選擇一個合適的電阻值，使其與負載電容的組合形成的RC時間常數約為1ns。 您可以使用非常小且非常便宜的電阻器組，例如PCB公司的EXB-2HV-221J。

（12）引脚45至58（D0A至D13A）：在數據輸出引脚上添加串聯電阻。 該串聯電阻器可以限制從輸出驅動器流出並返回晶片內部GND的高頻邊緣電流。 選擇一個合適的電阻值，使其與負載電容的組合形成的RC時間常數約為1ns。 您可以使用非常小且非常便宜的電阻器組，例如PCB公司的EXB-2HV-221J。

（13）PCB內部參考電壓輸出引脚（引脚67，REFOUT）：該REFOUT的電壓為2.048V，可輸出1mA電流。 當使用內部參考時，REFOUT直接連接到REFIN，或者REFOUT的輸出電壓被電阻分壓器分壓以設定REFIN輸入電壓。 REFOUT通過具有良好高頻效能且值大於或等於0.1μF的陶瓷電容器旁路到GND。

（14）單端參攷類比輸入（引脚68，REFIN）：對於PCB內部參考和外部參攷緩衝器操作模式，可以向REFIN施加0.7-2.3V的參攷電壓。 在指定的工作電壓範圍內，REFIN的輸入阻抗大於50MΩ，差分參攷電壓（VREF_P-VREF_N）由REFIN產生。 在PCB內部參考模式和外部參攷緩衝模式下，REFIN通過性能良好且值大於或等於0.1μF的高頻陶瓷電容器旁路到GND。 在無緩衝外部參攷模式下，將REFIN連接到GND。