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OSP表面処理のはんだ付け強度がENIG表面処理よりも強かったことを実験データは示した PCBボード. しかし, また、OSPのはんだ強度は経時的に劣化することが確認された. したがって, 製品が市場で売れている, 欠陥率は高い.
実験的データを提示して,表面処理処理のはんだ付け強度はenig表面処理pcbよりも強かった。しかし、OSPのはんだ強度は経時的に劣化することが確認された。したがって、製品の販売が長くなるほど、不良率は高くなる。
フレンドになりたい人PCBA回路 基板長期組立業. おそらく、私は専門家またはシニア経験を共有して、あなたに言っている.より専門用語は「銅ベース回路基板のはんだ接合強度がニッケルベースのそれより強い」と言うべきである, しかし、ほとんどの人々は、あなたに言うためにデータを考え出すことができるようです?"
どのようなenig（無電解ニッケル浸漬金）表面処理回路 基板は知っていますか？どのような回路基板はenig表面処理ですか？どのような利点と欠点は何ですか？
OSP（有機はんだ付け保存剤）表面処理回路基板は何かご存知ですか？OSP（有機はんだ保護膜）表面処理回路基板とは何かどのような利点と欠点は何ですか？
インターネット上で多くのレポートを捜しましたが、最終的に「ニホンスペリアー日本」が発表した「高速ローディングの鉛フリーBGA球の強さ」の英語版は比較的シンプルで分かりやすいです。この記事は、基本的に、このレポートは、ストレスに耐えるためにOSPとENIG溶接の能力を説明する材料として機能します。
ポータブルデバイスは最近非常に人気があるので、ユーザーは誤ってそれらを取るときに地面にそれらをドロップします。そこで、本研究では、BGAはんだボールをOSPに溶接するために異なるせん断試験速度を用い、Eigの2種類の表面処理の信頼性を基に、BGAはんだボールの破壊エネルギー（破壊エネルギ）を溶接強度評価の基準として計算した。
本報告書の試験サンプルと条件は次の通りである。レポートの詳細に興味を持っている読者は、インターネット上のオリジナルレポートの名前を検索することができます。
BGAボール直径：0.5±
ラミネート：FR 4
厚み厚：1.6 mm
はんだマスクを定義したパッドを使用しているYes
膜厚：30〜40μm
回路基板表面処理（仕上げ）：OSP，ENIG（0.3μNi／0.03μAu）
Year -Young -Ballはんだ合金: Sn - 3.0 Ag - 0.5 Cu , Sn - 0.7 Cu - 0.05 Ni - 0.006 Ge , 63 Sn - 37 Pb
速度でのせん断角：10、100、1000、2000、4000 mm /秒
本報では基本的に2つの試験方法，スラスト試験，プルテスト（プルテスト）を用いたが，スラストレポートのみを使用した。興味のある読者は、インターネット上でこの元のレポートを見つけることができます。ここでの推力は、実際にはハンダボール（せん断）の横剪断力である
この報告では，最大せん断力が発生したとき，はんだボールが完全に落下しないため，はんだボールの「破壊エネルギー」を用いて溶接強度を計算した。いくつかの可能性があります。それは亀裂の一部だけですが、最大推力が計算されました。したがって、ハンダ強度の代わりに最大の剪断力を計算するだけで、少し歪んでいます。そして、全体の剪断力と距離（上記）によって形成される密閉領域の面積を算出する。溶接強度を表すことができます。
アキレスゲのような速度
全体の報告の観点から、OSPとENIG表面処理のための溶接強度結果は、以下の結論として要約されることができます：
はんだボールへの剪断速度の高速化, はんだボールがOSPまたはENIGの表面処理にはんだ付けされるかどうかに関係なく, その破断エネルギー（破断エネルギー）はせん断速度の増加とともに急速に低下する. このことは、PCB製品回路 基板上の電子部品のはんだ強度に致命的な損傷, そして、より重い部分, 被害が大きい, なぜならf = ma. 落下の高さが高い, もっと不利なのは.
SAR 305はんだのためには、PCB OSP表面処理基板上の半田の破壊強度は、PCB ESG表面処理基板の場合よりも優れており、特にせん断力速度が100 mm／secの場合は、最も顕著であるが、せん断速度がmm／sec以上である場合には1000に達するので、両者間のギャップは小さくなる。これは、ENIGとOSPはベアメタルドロップテストを行うときにはあまり異なりません。しかし、OSPはタンブルテストを行うとき、明らかにENIGより良いです。
また、リフロー、ダブルリフロー、200時間（H）時間の実験と比較を行った200hr@150再流動後150℃°cでの次数c）。bgaはんだボールのはんだ付け強度に及ぼすimc（金属間化合物）の影響を理解することが主な目的である。
