F4T-1/2 ist eine Art Schaltungsbasisplatte basierend auf der isolierenden Teflon-Leiterplatte, die mit elektrolytischer Kupferfolie komprimiert wird (nach Oxidationsbehandlung auf beiden Seiten und dann zusammen nach Hochtemperatur- und Hochdruckbehandlung gepresst wird. Dieses Produkt zeichnet sich durch ausgezeichnete elektrische Leistung (d. h. niedrige dielektrische Konstante, geringer Verlust) und ideale mechanische Festigkeit aus, die eine gute Wahl für die Grundplatte von Mikrowellenplatine ist.
F4T-1/2 Technische Daten
Aussehen |
Erfüllen Sie die allgemeinen Anforderungen für Grundplatte der Mikrowelle PCB |
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Abmessungen(mm) |
150*150 220*160 250*250 200*300 |
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Für spezielle Abmessungen ist eine kundenspezifische Laminierung verfügbar. | ||||||
Dicke und Toleranz |
0.5±0.05 1±0.1 1.5±0.15 2±0.2 3±0.3 |
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Die Plattendicke umfasst die Kupferdicke. Für spezielle Abmessungen ist eine kundenspezifische Laminierung verfügbar. | ||||||
Mechanische Eigenschaften |
Angularität |
0.02mm/mm für doppellagige Platte |
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Schneiden/Stanzen Eigenschaft |
Keine Grate nach dem Schneiden, und der minimale Raum zwischen zwei Stanzlöchern ist 0.55mm.
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Schälstärke |
Im Normalzustand:â18N/cm; In der Umgebung konstanter Feuchtigkeit und Temperatur:â6 N/cm. |
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Chemische Eigenschaften |
Das chemische Ätzverfahren für Leiterplatten kann für die Schaltungsverarbeitung verwendet werden, die dielektrischen Eigenschaften von Materialien werden nicht geändert. |
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Elektrische Eigenschaften |
Namen |
Prüfbedingungen |
Einheit |
Spezifikationen |
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Schwerkraft |
Normalzustand |
g/cm3 |
2.2ï½2.3 |
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Wasseraufnahme |
Tauchen Sie 24-Stunden in destilliertes Wasser von 20±2 Grad Celsius ein. |
% |
â¤0.01 |
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Betriebstemperatur |
Hoch-Niedertemperaturkammer |
Grad Celsius |
-100ï½+150 |
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Wärmeleitfähigkeitskoeffizient |
Kcal /m .h. Grad Celsius |
0.4 |
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Wärmeausdehnungskoeffizient |
Temperaturanstieg von 96 Grad Celsius pro Stunde |
*1 |
9.8ï½10*10-5 |
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Schrumpffaktor |
Zwei Stunden kochendes Wasser |
% |
0.0005 |
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Beständigkeit gegen Oberflächenisolierung |
500V DC |
Normalzustand |
M.Ω |
â¥1*107 |
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Konstante Luftfeuchtigkeit und Temperatur |
â¥1*105 |
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Volumenwiderstand |
Normalzustand |
MΩ.cm |
â¥1*1010 |
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Konstante Luftfeuchtigkeit und Temperatur |
â¥1*107 |
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Stiftwiderstand |
500V DC |
Normalzustand |
MΩ |
â¥1*105 |
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Konstante Luftfeuchtigkeit und Temperatur |
â¥1*105 |
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Oberflächendielektrizitätsfestigkeit |
Normalzustand |
δ=1mm(kV/mm) |
â¥1.5 |
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Konstante Luftfeuchtigkeit und Temperatur |
â¥1.4 |
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Zulässigkeit |
10GHZ |
εr |
2. 2.2(±2%) |
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Tangente des dielektrischen Verlustwinkels |
10GHZ |
tgÎ" |
â¤1*10-3 |
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