4-lagige DDR Substrat Board

Merkmale des DDR-Paketträgers

Verbindungsstruktur mit hoher Dichte

Galvanische Beschichtung und Stapelstruktur des Lochs

Verschiedene Oberflächenbehandlungsmethoden

Anforderungen an die Flachheit von Blechen und Oberflächen

Harzfüllung

Antragsverfahren für DDR-Paketträger

Halbadditionsverfahren, Laserbohren,

Anwendung des DDR-Paketträgers

Smartphones, Computer, Internet der Dinge Produkte, Nachrichten elektronische Produkte

Der vollständige Name von DDR memory ist DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM). DDR SDRAM wurde erstmals von Samsung in 1996 vorgeschlagen und ist eine Speicherspezifikation, die von acht Unternehmen ausgehandelt wurde, darunter NEC, Mitsubishi, Fujitsu, Toshiba, Hitachi, Texas Instruments, Samsung und Hyundai, und wurde mit AMD, VIA und SiS ausgezeichnet. Unterstützung von Chipsatzherstellern. Es ist eine aktualisierte Version von SDRAM, so wird es auch "SDRAM II" genannt.

DDR ist die Mainstream-Speicherspezifikation zu Beginn des 21sten Jahrhunderts, und alle Mainstream-Produkte der großen Chipsatzhersteller unterstützen sie. Der vollständige Name von DDR ist DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM, Double Data Rate SDRAM). Die Nennfrequenz von DDR entspricht der von SDRAM. Ab 2017 sind DDR-Betriebsfrequenzen hauptsächlich 100MHz, 133MHz und 166MHz. Da DDR-Speicher die Eigenschaften der Datenübertragung mit doppelter Rate aufweist, wird das Verfahren der Betriebsfrequenz*2 bei der Identifizierung von DDR-Speicher angenommen, das heißt DDR200, DDR266, DDR333 und DDR400, einige Speicherhersteller haben auch DDR-Speicher mit höherer Frequenz eingeführt, um den Bedürfnissen von Enthusiasten gerecht zu werden. Die wichtigste Änderung liegt in der Schnittstellendatenübertragung. Es kann Datenverarbeitung an den steigenden und fallenden Kanten des Taktsignals durchführen, so dass die Datenübertragungsrate doppelt so hoch wie SDR (Single Data Rate) SDRAM erreichen kann. Die Adressierungs- und Steuersignale sind dieselben wie SDRAM und werden nur am steigenden Taktrand übertragen.

Verglichen mit dem SDRAM-Modul nimmt das DDR-SDRAM-Modul eine 184-polige (Pin), 4-6-Schicht-Leiterplatte an, und die elektrische Schnittstelle wird von "LVTTL" zu "SSTL2" geändert. Es ist das gleiche wie das SDRAM-Modul in anderen Komponenten oder Paketen. Das DDR SDRAM Modul hat insgesamt 184 Pins und es fehlt nur ein Steckplatz, der nicht mit dem SDRAM Modul kompatibel ist. DDR SDRAM unterscheidet sich auch hinsichtlich der Benennungsprinzipien von SDRAM. SDRAM wird nach der Taktfrequenz benannt, wie PC100 und PC133. Und DDR SDRAM basiert auf dem Datentransfervolumen als Namensprinzip, wie PC1600 und PC2100, die Einheit ist MB/s. So DDR200 in DDR SDRAM ist eigentlich die gleiche Spezifikation wie PC1600, und das Datentransfervolumen ist 1600mb/s (64bit*100MHz*2÷8=1600MBytes/s), und DDR266 und PC2100 sind die gleichen (64bit*133MHz*2÷ 8=2128MBytes/s).

DDR SDRAM basiert auf der Signalverzögerungszeit (CL; CAS Latency, CL bezieht sich auf die Anzahl der Systemtaktzyklen nach Empfang des Signals vor dem Lesen. Generell gilt, je kürzer desto besser, aber dies hängt auch vom ursprünglichen Einstellwert der Speicherpartikel ab, sonst verursacht es Systeminstabilität) ist auch anders. Nach der Definition der Joint Electronic Engineering Design and Development Association (JEDEC) (die Spezifikationsnummer ist JESD79): DDR SDRAM hat zwei CAS-Verzögerungen, unterteilt in 2ns und 2.5ns (ns ist eine Milliardstel Sekunde). Das schnellere DDR SDRAM CL=2 plus PC 2100 Spezifikation heißt DDR 266A, und das langsamere DDR SDRAM CL=2.5 plus PC 2100 Spezifikation wird DDR 266B genannt. Zudem hat das langsamere PC1600 DDR SDRAM diesbezüglich keine Sondernummer.