PCBA科技 - ​ 靜電放電對多氯聯苯加工的危害

摩擦帶電和人體帶電經常發生. PCBA產品 不可避免地暴露在外部或自接觸摩擦中，並在生產過程中形成高表面電位, 包裝和運輸, 和處理, 調試, 和組裝機器的測試. 如果操作員未採取靜電防護措施, 人體的靜電電位可高達1.5～3kV. 因此, 無論摩擦帶電還是人體靜電, 它會損壞靜電敏感電子設備. 根據靜電的力學和放電效應, 其靜電損傷大致分為兩類, 靜電引起的粉塵吸附和靜電放電引起的敏感元件擊穿.

摩擦帶電和人體帶電經常發生在 PCBA加工. PCBA產品 不可避免地暴露在外部或自接觸摩擦中，並在生產過程中形成高表面, 包裝和運輸, 和處理, 調試, 和組裝機器的測試. 潜在的. 如果操作員未採取靜電防護措施, 人體的靜電電位可高達1.5～3kV. 因此, 無論摩擦帶電還是人體靜電, 它會損壞靜電敏感電子設備. 根據靜電的力學和放電效應, 其靜電損傷大致分為兩類, 靜電引起的粉塵吸附和靜電放電引起的敏感元件擊穿.

1、靜電吸附：

二氧化矽和高分子材料廣泛用於電晶體和半導體器件的製造過程。 由於其高絕緣效能，在生產過程中容易積聚高靜電，並且容易吸收空氣中的帶電粒子，導致電晶體介面擊穿、失效。 為了防止危險，電晶體和半導體器件的製造必須在潔淨室中進行。 同時，應在潔淨室的牆壁、天花板、地板、操作員以及所有工具和器具上採取防靜電措施。

2、靜電擊穿和軟擊穿：

超大規模集成電路具有高集成度和高輸入阻抗，靜電對此類器件的損壞越來越明顯。 特別是，金屬氧化物半導體（MOS）器件具有更高的靜電擊穿概率。

現在以MOS場效應電晶體（MOSFET）為例來說明：MOS場效應電晶體的鋁柵極覆蓋在SiO2膜上並覆蓋整個溝道。 由於氧化矽薄膜的良好絕緣效能，該器件的輸入阻抗高達1012Ω或更高。 當靜電荷出現在鋁栅上時，SiO2膜的高電阻使其不可能洩漏，囙此積聚在鋁栅上。 此時，鋁栅、SiO2膜和電晶體通道相當於平板電容器，SiO2膜的厚度僅為103A，其耐受電壓僅為80～100V，場效應管的輸入電容僅為3pF，即使是少量電荷也會新增電壓。 當電壓超過100V時，它將導致SiO2膜分解，導致柵極溝槽通信和設備損壞。 當發生電壓擊穿時，在一定過電壓下，通常在SiO2膜的各個點處發生網絡點擊。 之後，只要電壓較低，就會發生大面積的雪崩擊穿，導致永久性故障。 有時，高壓靜電會直接損壞晶片內的引線，導致集成電路永久失效。

靜電放電對靜電敏感器件的損害主要表現為：

硬擊穿。 一次造成整個設備的故障和損壞。

軟擊穿。 對裝置造成局部損壞，降低裝置的技術性能，留下不易被人發現的隱患，使裝置無法正常工作。 軟擊穿造成的危害有時比硬擊穿更危險。 在軟擊穿的初始階段，器件的效能略有下降。 在使用過程中，隨著時間的推移，它會發展為部件的永久性故障，並對設備造成損壞。

靜電引起設備故障的機理大致有以下兩個原因：靜電電壓引起的損壞, 主要包括介質擊穿, PCB表面 擊穿和氣體電弧放電； 靜電引起的損壞, 主要包括熱二次擊穿, 體積分解和金屬噴霧熔煉.

在生產中，人們通常將對靜電反應敏感的電子設備稱為靜電敏感設備（SSD）。 這類電子器件主要指超大規模集成電路，尤其是金屬氧化物薄膜電晶體（MOS）器件