マイクロ波技術 - CADにおける高周波回路の解析

CADにおける高周波回路の解析

PCBメーカー: When the operating frequency is higher (about 2GHz), 信号波長はデバイスサイズと徐々に比較できる. チップインダクタのインピーダンスは、明らかな分布特性を示す, それで, 異なる参照位置に異なるインピーダンスが存在する. 高周波条件下で, デバイスの回路応答は、その大きさおよび空間構造によって変化することができる. 従来のインピーダンス測定パラメータは、実際の回路の応答特性をもはや正確に反映できない. 携帯電話のあるモデルのRF電力増幅回路を例として取る. Two of the 高周波 inductors (operating frequency 1.9GHz) used for インピーダンス matching use photolithographic film inductors. 同じ仕様と精度が使用されている場合, Q値はかなり高い. The laminated chip inductor (measurement instrument HP-4291B) was replaced, しかし、その結果、回路の送信利得は10 %近く低下した. これは、回路の整合状態が劣化することを示す. 低周波解析法は、高周波数問題を正確に説明できない. It is not suitable to focus only on the high-frequency analysis of the chip inductors with L () and Q (), 少なくとも十分ではない.

電磁場理論はしばしば分布特性を持つ高周波数応用問題を解析するために工学で使用される. 一般に, in the measurement of chip inductors with an impedance analyzer (HP-4291B), 測定精度は約0に増加することができる.固定具補償と計器キャリブレーションによる1 NH, 回路設計のための精度要件を保証する理論的に十分である. しかし, the problem that cannot be ignored is that the measurement results at this time only reflect the parameter performance between the terminal electrode interfaces of the inductance device under the matching state (the measuring fixture is designed to be accurately matched), そして、インダクタンス装置および外部電磁環境要件の内部の電磁分布は要求するが、それは反映できなかった. 同じテストパラメータのインダクタンスは、異なる内部電極構造. 高周波条件下で, the actual circuit application environment of chip inductors (approximate matching, 密集, PCB distribution influence) and test environment are often There are differences, it is very easy to produce various complex near-field reflections and slight changes in the actual response parameters (L, Q). RF回路の低インダクタンスインダクタンス, このような影響は無視できない. このような影響を「分散影響」と呼びます.

高周波回路（高速ディジタル回路を含む）の設計において、回路性能、デバイス選択、および電磁両立性のような考慮は、通常、ネットワーク散乱解析（Sパラメータ）、信号完全性解析、電磁シミュレーション解析、回路シミュレーション解析に基づいている。などは、実際の回路系の性能を総合的に考慮することを意味する。チップインダクタンス素子の「分散影響」問題を目指して，インダクタンス素子の構造電磁シミュレーションを行い，回路設計の基礎として対応するspice回路モデルパラメータを正確に抽出することにより，インダクタンスを効果的に低減し，高周波設計用途における誤差の影響を明らかにした。主要な海外（日本）構成会社のチップインダクタ製品の技術的パラメータは、通常、正確な高周波数解析解析に使用できるSパラメータを含む。

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