IC基板 - 半導体冷凍チップ用セラミック回路基板

のアプリケーション範囲 半導体冷凍 フィンはとても小さい, そして、最大のアプリケーション範囲は、コンピュータハードウェアの分野のアプリケーションです. コンピューティングのパフォーマンスと統合のための現在の増加要件, 放熱のための要件も増加している., 周波数の増加に起因する大きな熱は、常にオーバークロックによって議論された問題であった, 空冷から, 水冷, 圧縮する, 半導体冷凍, 狂気液体窒素, ドライアイス, exhausting

冷却方法。より一般的な空冷式放熱器と水冷は、彼らの低コストと使いやすさのために入場レベルをオーバークロックしている熱狂者のための標準的な構成になりました。不利な点は、空冷または水冷であっても、温度を周囲温度に近いかそれだけ制御できることである。ゼロ以下の温度を下げるために、愛好家はコンプレッサーと半導体冷凍を選びました。VapochillとMach直列圧縮機は、相変化冷凍を通して蒸発器温度に達することができます－50℃の範囲Cを作ることができます、外国の熱心な人によって製造される3段のコンプレッサー・システムは、液体窒素の蒸発温度に等しい- 196℃°に達しさえします。

しかし、コンプレッサーシステムの価格が高いため、少数の愛好家によってのみ受け入れられます。液体窒素とドライアイスは灰愛好家のための限られたツールであるかもしれません、そして、蒸発/昇華速度は非常に速いです。実用的な値はないので、半導体冷凍が選択になった。

半導体冷却フィンは、半導体からなる冷却装置の一種である. 単一の半導体冷却フィンのパワーは非常に低い, しかし、配列が使われるなら, 放熱量は非常に大きい. これは、半導体冷却フィンが常にセラミック基板100を使用している理由である. セラミック基板のみが放熱性要件を満たすことができる 半導体冷凍 フィン.

金属層との間の接合強度 セラミックセラミック基板のセラミック 高いです, 電気性能は良い, そして、それは繰り返し溶接することができます. 金属層の厚さは、1×1／4. Lの解像度/sは、10. 電気めっきと封止の直接実現. 顧客にカスタマイズを提供するために両面基板を形成する,高密度回路基板 解決策.

stoneonセラミック回路基板の材料は，その性能，耐熱性，耐圧性などの観点から直ちに熱くなっている。それは家庭用品の強い圧力の下で負荷なしで動作することができますが、また、大きな航空宇宙を持っています。アプリケーション.

セラミック回路基板技術パラメータ

数種の溶接では、摂氏260度で溶接することができ、長さ20～1

高周波損失：小, に使用できます。 高周波回路 デザインと組立

視角/間隔( L / S )解像度

有機成分：放射線耐性

酸化物層を含まず、還元雰囲気で長時間使用することができる