Leiterplatte Blog - Anwendung von aluminiumnitridsubstrat

Was ist aluminiumnitridsubstrat:

Aluminiumnitridsubstrat bezieht sich auf ein keramisches Material mit Aluminiumnitrid (AIN) als Hauptkristalline Phase und dann mit Metallkreisläufen auf dem Aluminiumnitridsubstrat geätzt, das das keramische Aluminiumnitridsubstrat ist.

Aluminiumnitrid ist ein keramisches Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit, das aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit allgemein als Halbleitermaterial verwendet wird. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit macht es zu einer idealen Wahl für Halbleiter, und seine hohe elektrische Isolationsleistung macht es zu einem idealen Material für Sinterkörper. Es wird auch in vielen anderen Anwendungen verwendet und ist ein ausgezeichnetes Wärmeableitungsmaterial.

Aluminiumnitridkeramik ist ein sehr nützliches Material in verschiedenen Anwendungen.Es ist ein Hochtemperaturmaterial mit ausgezeichneter Leitfähigkeit und Wärmeleitfähigkeit. Es wird auch für Hochleistungselektronik und LED-Lichttechnik eingesetzt. Es ist auch ein gutes Wärmeableitungsmaterial. Es ist sehr langlebig und kann in verschiedenen Bereichen angewendet werden und kann in fast jedem Metall in verschiedenen Anwendungen gefunden werden.

Anwendung von Aluminiumnitridsubstrat:

1: Aluminiumnitrid als Substratmaterial

Das Substrat, das für Verpackungen verwendet wird, muss nicht nur die grundlegenden Anforderungen an hohen Widerstand, hohe Wärmeleitfähigkeit und niedrige Dielektrizitätskonstante erfüllen, sondern muss auch eine gute thermische Übereinstimmung mit Halbleitermaterialien wie Siliziumwafern haben,Eigenschaften wie einfaches Formen,hohe Oberflächenebenheit, einfache Metallisierung, einfache Verarbeitung, niedrige Kosten haben, und bestimmte mechanische Eigenschaften.

Aluminiumnitridsubstrat hut eine Reihe ausgezeichneter Eigenschaften wie ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, zuverlässige elektrische Isolierung, niedrige dielektrische Konstante und dielektrischer Verlust, ungiftig und Koeffizient der Wärmeausdehnung passend zu Silizium. Die Wärmeleitfähigkeit kann 170W/(m • k) erreichen, die mehr als 5-mal so hoch ist wie herkömmliches Substratmaterial Aluminiumoxid. Verglichen mit anderen keramischen Materialien der elektronischen Qualität, ist es sehr geeignet für Isoliersubstrate von Hochleistungsgeräten, Wärmeableitungssubstrate von ultragroßen integrierten Schaltungen und Verpackungssubstrate von Leistung, Kosten und Umweltfaktoren.

Aluminiumnitrid für tiefe UV LED Substrate

Aluminiumnitridsubstrat kann die Spannungsakkumulation während des epitaktischen Prozesses effektiv lindern, epitaktische Waferdefekte reduzieren und die Leistung und Lebensdauer von tiefen ultravioletten LED-Geräten erheblich verbessern. Zusätzlich zu den allgemeinen Eigenschaften von Halbleitermaterialien mit breiter Bandlücke wie großer Bandlücke (6.2 eV-Bandlücke), hoher elektrischer Feldstärke, hoher Wärmeleitfähigkeit und hoher chemischer Stabilität hat Aluminiumnitrid auch ausgezeichnete ultraviolette Lichtdurchlässigkeit, und ist ein ideales Material für die Herstellung von ultravioletten photoelektrischen Produkten (wie gereinigtes Wasser, Desinfektion, Kommunikation, Sensoren, medizinische Behandlung und Photolithographie).

Aluminiumnitrid ist in thermischen Grenzflächenmaterialien (TIM) weit verbreitet

Wärmeleitfähiges Silikonfett gefüllt mit Partikeln hoher Wärmeleitfähigkeit wie Aluminiumnitrid (AlN), auch bekannt als Wärmeleitpaste, hat eine bestimmte Fließfähigkeit und ist ein gängiges traditionelles Wärmeableitungsmaterial mit guter Wärmeleistung und kürzerem Herstellungszyklus; Niedrige Viskosität, einfach zu füllen Grenzflächenlöcher.

Aluminiumnitrid als Ultra-Hochtemperatur-Verpackungsmaterial

Der Schmelzpunkt von Aluminiumnitrid (AlN) ist bis 2500, das als Hochtemperatur- und Hitzebeständige Materialien verwendet werden kann. Der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminiumnitrid ist ähnlich dem Wärmeausdehnungskoeffizienten von Si und SiC. Nach der Dickfilmmetallisierung kann es die Anforderungen der Temperatur bis zu 500 ℃ und Leistungsdichte von 1000W/cm2 erfüllen. Aluminiumnitrid-keramische Chip-Level-Verpackung kann auf ultrahohe Temperatur (über 500) mikroelektronische Geräte angewendet werden.

Aluminiumnitrid als Material des Geräts der hohen Leistung

In drahtlosen Transceiversystemen verwendet die Festkörperverstärkungsschaltung des Transceivermoduls (TR-Modul) ein Halbleiterleistungsgerät mit breiter Bandlücke mit höherer Ausgangsleistung. Aluminiumnitrid (AlN) mit hoher Wärmeleitfähigkeit kann interne Wärme an den Kühlkörper übertragen und eine übermäßige Innentemperatur im Modul vermeiden. TR-Komponenten nutzen die hohen Wärmeleitfähigkeit und Festigkeitseigenschaften von Aluminiumnitridsubstraten vollständig aus und verwenden mehrschichtige Hochtemperatur-Co-Brenntechnologie, um die vertikale Verbindung von HF-Signalen in der hochdichten Montage gestapelter Strukturen sowie Probleme wie Wärmeableitung und Abdichtung zu lösen.

Aluminiumnitrid als Hochfrequenzgerät Material

Aluminiumnitrid kann als Kollektor, Klemme und Energieübertragungsfenster für Mikrowellenrohre verwendet werden. Der dielektrische Verlust von Aluminiumnitrid kann bis zu 10 ^ (-4) betragen. Wenn die Fensterwärme zu hoch ist, kann sie die Sicherheit elektronischer Geräte effektiv gewährleisten.

Aluminiumnitrid verwendet als Dünnschichtmaterial

Aluminiumnitrid-Dünnschichtmaterial hat gute thermische Stabilität und piezoelektrische Eigenschaften bei hohen Temperaturen und kann in Hochtemperaturumgebungen in der Nähe von 1200, was es zu einem Hochleistungs-piezoelektrischen Material macht. Aluminiumnitrid-Dünnfilme können in Mikromodulen, Sensoren, integrierten Schaltungen und aktiven Komponenten angewendet werden.

Aluminiumnitrid (AlN)-Substrat hat eine Reihe ausgezeichneter Eigenschaften wie hohe Wärmeleitfähigkeit, hoher Widerstand, niedriger dielektrischer Verlust, thermische Ausdehnungsleistung, die zu Halbleitermaterialien wie Silizium passt, und gute mechanische Eigenschaften. Elektronische Keramik aus Aluminiumnitrid ist zu einer wichtigen Richtung geworden, um das Wärmeableitungsproblem hochintegrierter und miniaturisierter elektronischer Geräte zu lösen und die Zuverlässigkeit und Sicherheit elektronischer Geräte effektiv sicherzustellen.