電晶體是電子工業中重要的電子元件 PCBA板
電晶體是一種用於放大或切換電子訊號和功率的半導體器件. 它由半導體材料組成,通常通過至少3個引脚連接到外部電路. 它們是 PCBA 董事會. 電晶體主要分為兩類:雙極結晶體管和場效應電晶體.
1 Bipolar Junction Transistor (BJT)
Bipolar junction transistor, 也稱為電晶體3極管. 因為電晶體是通過使用多數載流子和少數載流子來實現的, 雙極結晶體管是第一種大規模生產的電晶體. 它是兩個結二極體的組合,夾在兩個n型電晶體之間. Between the p-type semiconductor film (np-n-type transistor), or sandwiched between two p-type semiconductors (pnp transistor) between the n-type semiconductor thin film. 該結構創建了兩個p-n連接:基, 發射極結, 和集電極連接, 中間的基極區域由薄電晶體區域分隔.
BJT有3個端子,對應於3層電晶體(發射極、基極和集電極)。 它們在放大器中很有用,因為發射極和集電極上的電流可以由相對較小的基極電流控制。 在有源區工作的n-p-n電晶體中,發射極和基極結正向偏置(電子和空穴在結處重新結合),電子注入基極區。 由於基極較窄,這些電子中的大多數會擴散到反向偏置的基極和集電極,並被掃入集電極; 可能有1%的電子會在基極中重新結合,這是基極電流引導機制的一部分。 通過控制可以離開基極的電子數,可以控制進入集電極的電子數。 集電極電流約為參攷電流(共發射極電流增益)的β。 對於小訊號電晶體,它通常大於100,但對於設計用於大功率應用的電晶體,它可以更小。
與場效應電晶體不同,BJT是一種低輸入阻抗器件。 此外,根據Shockley二極體模型和Ebers-Moll模型,隨著基極和發射極電壓(VBE)的新增,基極、發射極電流和集電極和發射極電流(ICE)呈指數增長。 由於這種指數關係,BJT具有更高的FET跨導。
雙極電晶體可以通過暴露於光來導電,因為基極區域中光子的吸收產生作為基極電流的光電流; 集電極電流約為光電流的β倍。 為此設計的設備在封裝中有一個透明視窗,稱為光電電晶體。
2. Field Effect Transistor (FET)
Field effect transistors are mainly used to conduct conduction on electrons (in n-channel FETs) or holes (p-channel FETs). 場效應管的四個端子稱為源極, 大門, drain and body (substrate). 在大多數場效應電晶體中, 主體連接到包中的源.
在場效應管中,漏電流和源電流流過連接源區和漏區的導電溝道。 當在柵極和源極端子之間施加電壓時產生的電場改變電導率; 囙此,漏極和源極之間流動的電流由柵極和源極之間施加的電壓控制。 隨著柵極電壓(VGS)的新增,當VGS低於閾值時,漏電流和源電流(ID)呈指數增長,然後“空間電荷限制”區域以大約二次速率高於閾值。 在現代器件中沒有觀察到二次性,例如在65奈米科技節點。 對於窄頻寬和低雜訊,FET的較高輸入電阻是有利的。
電路中常用的電晶體電子元件包括二極體, 3極管, 場效應管, 等. 明確識別電晶體的類型是 PCBA加工 process.