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根據 汽車燈具電路板廠, 台積電2nm工藝研發取得重大突破. 根據供應鏈, 不同於3nm和5nm, 採用FinFET架構, TSMC has adopted a new multi-bridge channel field effect transistor (MBCFET) architecture at 2nm. The R&D progress is advanced and the industry is optimistic about 2023. 下半年, 風險試產收率可達90%, 未來協助蘋果和英偉達等主要製造商繼續贏得先進制造技術的大量訂單, 和猛擊3星.
電晶體制造技術一直在收縮，面臨著物理限制。 業界最初擔心的是摩爾定律仍然不利，即每18個月推進一個工藝時代的步伐受阻，這影響了台積電等電晶體製造商先進工藝的發展。
3星預計在年底投資5nm工藝，落後於台積電。 由於台積電在新的2nm工藝節點上取得了重大突破，宣佈台積電將繼續發展摩爾定律，更確定的是，未來向1nm邁進的可能性將大大新增，並進一步擴大與3星的差距。 台積電從未對訂單和其他動態發表評論，迄今為止也沒有低調透露2nm流程的細節，只是表示2nm將是一種新的架構。
業內人士指出，2020年臺灣電晶體將於9月23日首次亮相。 台積電董事長劉德銀應邀發表主題演講。 市場關注台積電對人工智慧（AI）第五代移動通信（5G）的先進流程研發推廣影響，並關注劉德銀發佈的台積電先進流程研發最新進展。
據悉，台積電去年成立了2nm項目研發團隊，以尋找可行的發展路徑。 考慮到成本、設備相容性、科技成熟度和效能等條件，2nm採用基於環繞門（GAA）工藝的MBCFET結構。， 為解决工藝收縮導致FinFET電流控制洩漏的物理極限問題，以及極紫外（EUV）微開發科技的改進，使得台積電多年開發的納米片疊層關鍵技術更加成熟，而成品率提高的進度相對緩慢。 預計進展順利。
台積電總裁魏哲佳日前在玉山科技協會晚宴上透露，台積電每一代的工藝進步，客戶的產品速度和效率都會提高30%-40%，功耗可以降低20%-30%。
供應鏈認為基於台積電2nm現時的研發進展, 預計將於2023年下半年進入高風險試生產階段, 2024年正式量產. TSMC previously revealed that 2nm R&D and production will be located in Baoshan, 新竹, 規劃四 超大型晶圓廠 從P1到P4, 占地面積90多公頃.
電路板製造商 相信台積電的2納米產量和效能值得期待. 預計將被蘋果等主要客戶採用, 英偉達, 高通公司, 發佈後的Supermicro, 並將逐漸切換到2納米薄膜. 特別是在Nvidia收購ARM之後, 它正朝著高速計算的方向發展，如超級電腦和超大規模資料中心. 未來, 它將更多地依賴與台積電的合作.
