PCB部落格 - 氮化鋁基板的應用

什麼是氮化鋁基板：

氮化鋁基板是指以氮化鋁（AIN）為主要晶相，然後在氮化鋁基板上用金屬電路蝕刻的陶瓷材料，即氮化鋁陶瓷基板。

氮化鋁是一種具有高導熱性的陶瓷材料，由於其高導熱性，通常用作半導體材料。 其高導熱性使其成為電晶體的理想選擇，其高電絕緣效能使其成為燒結體的理想資料。 它也用於許多其他應用，是一種出色的散熱資料。

氮化鋁陶瓷在各種應用中是非常有用的資料。 它是一種具有優异導電性和導熱性的高溫資料。 它還用於大功率電子產品和LED照明科技。 它也是一種很好的散熱資料。 它非常耐用，可以應用於各種領域，在各種應用中幾乎可以在任何金屬中找到。

氮化鋁襯底

氮化鋁基板的應用：

1：氮化鋁作為基材

用於封裝的襯底不僅需要滿足高電阻率、高熱導率和低介電常數的基本要求，還需要與矽片等半導體材料具有良好的熱匹配，具有易於成型、表面平整度高、易於金屬化、易於加工、成本低等特點， 以及某些機械效能。

氮化鋁基板具有優异的導熱性、可靠的電絕緣性、低介電常數和介電損耗、無毒性以及與矽匹配的熱膨脹係數等一系列優异特性。 熱導率可達170W/（mâ¢k），是傳統基材氧化鋁的5倍多。 與其他電子級陶瓷材料相比，從效能、成本和環境因素來看，它非常適合用作大功率器件的絕緣基板、超大規模集成電路的散熱基板和封裝基板。

2：用於深紫外LED基板的氮化鋁

氮化鋁襯底可以有效緩解外延過程中的應力積累，减少外延晶片缺陷，顯著提高深紫外LED器件的效能和壽命。 氮化鋁除了具有寬帶隙半導體材料的一般效能，如大帶隙（6.2eV帶隙）、高擊穿電場強度、高導熱性和高化學穩定性外，還具有優异的紫外光透射率， 是製備紫外線光電產品器件（如純化水、消毒、通信、感測器、醫療和光刻）的理想資料。

3:氮化鋁廣泛用於熱介面資料（TIM）

填充氮化鋁（AlN）等高導熱顆粒的導熱矽脂，又稱導熱膏，具有一定的流動性，是一種常見的傳統散熱資料，熱效能好，製造週期短； 粘度低，易於填充介面空隙。

4:氮化鋁作為超高溫包裝材料

氮化鋁（AlN）的熔點高達2500â，可以用作高溫耐熱資料。 氮化鋁的熱膨脹係數與矽和碳化矽的熱膨脹率相似。 經過厚膜金屬化後，可以滿足高達500â的溫度和1000W/cm2的功率密度的要求。 氮化鋁陶瓷晶片級封裝可應用於超高溫（500â以上）微電子器件。

5:氮化鋁作為高功率器件資料

在無線收發器系統中，收發器模塊（TR模塊）的固態放大電路使用具有較高輸出功率的寬帶隙電晶體功率器件。 具有高導熱性的氮化鋁（AlN）可以將內部熱量傳遞到散熱器，避免模塊內部溫度過高。 TR元件充分利用氮化鋁基板的高導熱性和强度特性，採用多層高溫共燒科技，解决了堆疊結構高密度組裝中射頻訊號的垂直互連，以及散熱和密封等問題。

6：氮化鋁作為高頻器件資料

氮化鋁可以用作微波管的收集器、夾具和能量傳遞視窗。 氮化鋁的介電損耗可以低至10^（-4）。 當窗戶溫度過高時，可以有效地保證電子設備的安全。

7：用作薄膜資料的氮化鋁

氮化鋁薄膜資料在高溫下具有良好的熱穩定性和壓電效能，可以在接近1200â的高溫環境中工作，是一種高性能的壓電材料。 氮化鋁薄膜可應用於微模塊、感測器、集成電路和有源元件。

氮化鋁（AlN）襯底具有一系列優异的特性，如高導熱性、高電阻、低介電損耗、與矽等半導體材料相匹配的熱膨脹效能以及良好的機械效能。 氮化鋁電子陶瓷已成為解决高度集成化、小型化電子器件散熱問題的重要方向，有效保證了電子器件的可靠性和安全性。