Enig浸金印刷電路板

Enig浸金工藝具有平整度高、均勻性好、可焊性好、耐腐蝕等優點，廣泛應用於各種電子產品的Enig電路板表面處理工藝。

ENIG也被稱為浸金。 PCB中的化學鎳含量一般控制在7-9%（中磷）。 化學鎳磷含量分為低磷（亞光）、中磷（半光澤）和高磷（光亮）。 磷含量越高，耐酸腐蝕性越强。 化學鍍鎳分為銅上化學鍍鎳、銅上化學鎳和鈀上化學鍍鎳工藝。 化學鍍鎳常見的問題有“黑墊”（通常稱為黑盤，鎳層被腐蝕成灰色或黑色，不利於可焊性）或“泥裂”（斷裂）。 謎中的金可分為薄金（置換金，厚度1-5u³）和厚金（還原金，謎的厚度可達25微英寸以上，金表面不紅）。 IPCB主要生產Enig薄金PCB。

enig電路板工藝流程

預處理（刷塗和噴砂）-酸脫脂劑-雙洗-微蝕刻（過硫酸鈉）-雙洗——預浸（硫酸）-活化（Pd催化劑）-純水洗滌-酸洗（硫酸）——純水洗滌-化學鎳（Ni/P）-純水清洗-化學金回收-純水洗滌——超純水熱水洗滌乾燥機

ENIG電路板和關鍵過程控制

1.拆下油缸

PCB鍍鎳金通常用於酸性除油劑的預處理。 其作用是去除銅表面的溫和油脂和氧化物，達到清潔和新增潤濕效果的目的。 易於清潔電路板。

2.微溶筒（SPS+H2SO4）

輕微腐蝕的目的是去除銅表面氧化層和預處理的殘留殘留物，保持銅表面新鮮，新增化學鎳層的緊密性。 微蝕刻液為酸性硫酸鈉溶液（NA2S2O8:80½120g/L；硫酸：硫酸：20½；30ml/L）。 因為銅離子對微腐蝕速率的影響較大（銅離子越高，銅表面氧化越快。深度為0.5至1.0μm。更換圓柱體時，通常保留1/5圓柱體母液（舊液）以保持一定的銅離子濃度。

3.預浸缸

預浸缸僅保持活化缸的酸性，在新鮮狀態（厭氧）下以新鮮狀態（anaoamide）進入活化缸。 硫酸鹽預浸筒用作預浸劑。 濃度與啟動的氣瓶一致。

4.啟動氣缸

活化的作用是在銅表面形成一層鈀（PD）作為催化晶核，用於化學鎳的起始反應。 它的形成過程是PD和CU的化學置換反應，銅表面被一層PD取代。事實上，不可能完全啟動銅表面（完全覆蓋銅表面）。 在成本方面，這將新增PD的消耗，並容易導致嚴重的品質問題，如滲漏和拋鎳。

附件：當槽壁和槽底出現灰黑色沉積物時，需要設定硝酸槽。 工藝流程為：1:1硝酸，啟動迴圈泵2小時以上或直至槽壁灰黑色沉澱物完全清除。

5.沉鎳筒（沉鎳反應）

化學鎳是PD的催化作用。NAH2PO2水解產生原子H。同時，在PD催化條件下，H原子恢復為單個鎳並沉積在裸銅表面（一般鎳厚度為100-250U，速率一般為，速率為速率，速率為。控制在6-8μl）。

化學鎳槽硝酸鹽槽程式：將化學鎳藥水抽入備用槽中。 市售濃度為65%，硝酸鹽濃度為10-30%（V/V）的硝酸鹽，在至少8小時後打開過濾迴圈或放置至少8小時。 靜置幾個小時後，檢查槽底部或槽壁是否需要硝化？ 如果你不清潔它，你需要補充硝酸，直到硝酸鹽乾淨。 亞硝酸鹽清洗乾淨後，需要去除硝酸廢液並用水沖洗，然後用水打開水箱約15分鐘（至少兩次）。 並開啟迴圈過濾15分鐘，檢查水箱中的水、純水pH值（試紙或pH測試）數據（一般純水的pH值在5-7之間）和電導率（一般在15US/cm以下）是否合格。

6.ENIG氣缸（沉金置換反應）

置換反應浸金通常可以達到極限厚度30分鐘（一般金厚度為0.025-0.1μm），速率控制在0.25-0.45μm/min）。 由於浸金液AU含量低（一般為0.5-2.0g/L），PCB沉金溶液的擴散速度和內層分佈相互影響差异很大。 一般來說，大面積PAD的金厚度比金厚度高100%是正常的。 沈金的厚度要求可以通過調節溫度、時間或新增金濃度來控制金厚度。 金圓柱體越大越好，不僅AU濃度的微小變化有利於控制金厚度，而且可以延長圓柱體週期。

ENIG電路板製造注意事項

1.當軟板線的密集間距小於0.1mm時，活化時間應控制在60~90秒之間，Pd2+應控制在10~15PPM之間。 如果鎳不能沉積，或者電路板上有一小塊或電路上有薄金沉積，則表明活化濃度或時間不足。

2.測試板經過脫脂、微蝕刻、預浸和活化處理。 活化處理後，觀察到Cu表面上的Pd層：表面呈灰白色，活化程度適中（活化太多不會變成黑色，活化太少也不會變成Cu的顏色），然後鎳金熔化，沒有漏鍍和滲透，表明活化劑具有良好的選擇性。

3.生產前檢查陽極保護電壓是否正常。 如果异常，請檢查原因。 正常電壓保護為0.8~1.2V；

4.生產前，必須使用0.3~0.5dm2/L裸覆銅板開始鍍鎳浴。 生產過程中，負載應在0.3~0.8dm2/L之間。如果負載不足，應新增拖動氣缸板。 防陰極沉澱裝置的電壓設定為0.9V。當電流超過0.8A時，水箱將翻轉，應定期檢查接頭。

5.應提前半小時拖動氣瓶，以確保正常活動和參數。 生產線停止後，鎳浴溫度降至60℃以下。 加熱時，應開始迴圈或空氣混合。 生產過程中，鎳浴加熱區應啟用空氣攪拌，板材鋪設區域應無空氣攪拌；

6.非導電孔上的鎳金鍍層：直接電鍍或化學鍍銅中殘留的鈀太多，鎳浴活性太高。 如果使用鹽酸+硫脲，溶液的組成：硫脲20~30g/L，分析純鹽酸10~50ml/L，酸脫脂劑1ml/L。操作條件：4~5分鐘； 溫度為22~28℃，過硫酸鈉輕微蝕刻80 g/L，硫酸為20~50 ml/L。另一種方法是蝕刻後浸泡溶液（硫酸：100ml/L+硫脲：20g/L+硫酸亞錫：60g/L），然後去除錫，經過三次逆流水洗，然後通過整個鎳金熔線或工藝為藍色裝載-浸泡在硫脲中（擺動）-水洗（一次）-卸下板材（注意不要劃傷）-將其放入裝滿清水的盆中（不要在空氣中）-通過刷磨機-第一次微腐蝕噴塗-噴水-不需要研磨板材-空氣乾燥-裝載板材-正火鎳金。

7.如果鎳沉積速率為-4MTO（補充量大於氣缸開口量的倍數），鎳沉積速率將隨著MTO的新增而减慢，金沉積速率將由於鎳層的表面活性而减慢，鍍金後的板材將變暗。鍍金時間應較長。 如果更換鍍金液，外觀應正常。 如果是鎳或金浴被污染，通過鎳金浴時活性差，金負載率慢，難以沉積金或金表面無色。 此外，金的表面是淺白色的，不是黃色的，稍差一些。 鍍鎳板正常從鍍金中出來時，會出現灰孔，金浴的活性通常不足（注意：金層因有機污染而變暗，金含量新增或沉積時間較長的金不會變黃）。

8.如果鎳槽含有高亞磷酸鹽（鎳槽為灰色），鎳沉積厚度將長時間保持不變（無反應）。 通常，亞磷酸鈉（NaHPO3）的含量控制在<120g/l。如果達到-120g/l，應製備新的溶液。

9.鍍鎳缺失和變白，即沉積了一層薄薄的鎳，鎳層是白色的。 由此可以看出，鎳浴中的鍍液活性較差。 該方法是拖動槽並添加試劑D以啟動鎳浴溶液的活性。

10.取出鎳金嵌件，用硝酸+鹽酸將其取出。

11.如果鎳沉積物是黑色的（污漬），此時金沉積的速度會變慢，那麼沉積物的金表面是紅色和黃色的（紅色和氧化）。

12.鎳溶液的pH值越高，磷含量越低。 MTO越高，PH值應越高，沉澱速率應越慢。

13.金浴溶液金濃度低，使用壽命長或洗滌後不乾淨（易引起金氧化）。 藥液使用壽命長，雜質高（金表面有斑點）。

14.當金子變薄時，可以重新加工。 返工方法為：酸洗（1-2分鐘）-水洗（1-1分鐘）-金沉澱。

15.板材應在鍍金後半小時內乾燥。 木板之間應使用適當大小的白紙隔開。 持牌人必須戴防靜電手套。 乾燥後，應在30分鐘內將電路板運送到enig電路板檢查室，以避免酸霧引起的金氧化。

16.當金沉澱槽中的金濃度低，被鎳、銅和金屬雜質污染時，沉積速率會降低（活性會變差），甚至難以沉積金（金沉澱時間長，厚度不能滿足要求）。

17.溶液的工作溫度必須保持在2℃左右波動。 如果振幅太大，會產生片狀塗層。

18.鎳浴時停線時間不超過8小時，拖動氣瓶10-20分鐘，停線時間超過8小時、拖動氣瓶20-30分鐘。

19.生產過程中，應在鎳浴加熱區啟用空氣攪拌。

20.負載大：粗糙，鎳沉積差（自發分解，鎳層粗糙），易分解失效。

21.當金浴中的Ni2+超過500ppm時，金屬的外觀和附著力會變差，藥液會慢慢變綠。 此時必須更換金浴，金浴對銅離子非常敏感。 超過20ppm的降水會減緩並導致壓力新增。 鎳沉澱後，不應長時間放置，以避免鈍化。

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