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マイクロ波技術

マイクロ波技術 - スマートフォン高周波回路におけるインダクタンス整合

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マイクロ波技術 - スマートフォン高周波回路におけるインダクタンス整合

スマートフォン高周波回路におけるインダクタンス整合

2021-08-16
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Author:Fanny

スマートフォン 高周波回路, インダクタンスマッチングは非常に重要です. インダクタンス整合は、送信端の回路の出力インピーダンスが受信端部の回路の入力インピーダンスと一致するように信号伝送線を指す. アフターマッチング, 送信端での電力を受信端に最大限度まで送信することができる.

整合回路はコンデンサおよびインダクタを使用するが、理想的な構成要素とは異なり、実際のコンデンサおよびインダクタは損失を有する。qは損失である。Q値が大きいほど、コンデンサとインダクタの損失が小さくなる。


インダクタのQ値と損失 high-frequency 回路基板

また、整合回路で使用するインダクタのQ値は、高周波回路の損失にも影響を及ぼす。これを確認するために,村田のsawフィルタ(800 mhz通過帯)とrfインダクタを用い,整合回路内の異なるq値を持つrfインダクタを変化させてsawフィルタの挿入損失を測定し比較した。図1は回路図を示す。この回路は、整合回路であるが、1つのRFインダクタのみを有する。


高周波回路

図1。SAWフィルタおよび整合回路


図2は、この時点で変化したRFインダクタのQ値の周波数特性を示す。表1は、構造、サイズ、およびQ値(800 MHzでのTYP)を示します

高周波回路

イチジク. 2 comparison of Q values of RF inductance (both 7.5nh)

図2の図は、Murataによって提供される設計援助、SimSamingを使用して示されます。

整合回路のRF誘導子を変更するときのSAWフィルタの全体的な特性を図3に示し、通過帯域特性を図4に示す。

高周波回路

図3 .SAWフィルタの全体特性


高周波回路

図4。SAWフィルタの通過帯域特性


図4の通過帯域特性から, SAWフィルタの挿入損失は、使用するRFインダクタによって変化することが確認できる. この損失レベル 高周波回路基板 ますます重要になっている. 実験結果によると, the larger the Q value of the RF inductor (the smaller the loss), SAWフィルタの挿入損失が小さい. 言い換えれば, インダクタ損失の大きさは、整合回路10を含むSAWフィルタ損失のサイズである. Please note that the loss will vary depending on the high-frequency element used (in this case, saw filter), マッチング回路, 周波数帯, etc.


インダクタンス偏差と整合回路への影響

加えて、実際のインダクタインピーダンス値は、不連続値のような1.0 nh、1.1 nh、1.2 nhである。マッチングを行う場合、微妙な一定のステップで微調整する必要がある場合があります。同時に、インピーダンス値(標準偏差)のずれが整合基準偏差となり、必要な特性を満足させるためには、小さな偏差のインダクタが必要になる場合がある。村田のインダクタの中で、薄膜LQPシリーズは、細心の一定のステップと小さな偏差の要件を満たす。


上記事情によると, Q特性を比較検討する必要がある, 偏差値, サイズ, コスト, SAWフィルタの集積ループRFインダクタの他の態様. マウントスペースが残っているとき, コイルインダクタLQW 15/高いQ値を持つLQW 04は最良の選択である. 加えて, LQP 03 HQ/小サイズ0603とスマートフォンでLQP 03 TnRAN 02 高周波回路 Q値は、マウントスペースが限られているときに最適です.