セラミック基板 1

ダイレクトプレート銅セラミック基板, 直接銅めっきセラミック基板, 薄膜回路と電気めっきプロセス技術を組み合わせた新しいタイプのセラミック基板. これは、ステージなどの伝統的な照明で使用されていません, 風景と車のヘッドライト,しかし、垂直共振器面発光レーザ（VCSEL）のような高出力部品のパッケージングにおいても、紫外線発光ダイオード（UV発光ダイオード）及び他の分野も含む。要するに, the セラミック基板, セラミック加工技術と材料技術の利点を組み合わせたもの, 高い熱伝導率のような多くの特徴を持つ, 高断熱, 高い回路精度, 表面平坦度, チップとの熱膨張係数マッチング.

DPCセラミック基板は，高出力・小型集積回路の開発により開発された新しいプロセス製品である。従って、今後はセラミック基板業界において先行した位置を占めるといえる。

セラミック基板 特徴：高熱伝導率, 高断熱, 高回路分解能, 表面平坦度, 高金属セラミックボンディング.

パッケージ基板は、内部および外部の放熱経路を接続するためのキーリンクである。それは、マルチピンを達成し、パッケージ化された製品のサイズを小さくし、電気的性能及び放熱性を向上させ、超高密度またはマルチチップモジュール化の目的を改善するために、電気的接続、保護、支持、放熱、アセンブリ及び他の機能をチップに提供することができる。

近年の技術の継続的な向上, チップの入力パワーはますます高くなっている. 高出力製品, パッケージ基板は高い電気絶縁を必要とする, 高熱伝導率, チップに適合する熱膨張係数. 過去に, それは金属で包まれた PCBボード, また、熱電分離を実現するために絶縁層が必要であった. 絶縁層の非常に不十分な熱伝導率のため, このとき、熱はチップに集中しない, しかし、それはチップの下の絶縁層の近くで集中する. 一度高い電力を使用する, 放熱問題が現れる. これは明らかに市場発展の方向と一致しない.

PCBセラミックブラケット、PCBセラミック基板

DPCセラミック基板は、セラミック自体が絶縁体であり、放熱性に優れているため、この問題を解決することができる。DPCセラミック回路基板は、セラミックにチップを直接固定することができるので、セラミック上に絶縁層を設ける必要がない。

DPCセラミック基板にも様々な利点がある

低損失のセラミック材料自体の誘電率は、信号損失を小さくする。

アルミナセラミックスの熱伝導率は15 msecで1／2.35 w／mkで，窒化アルミニウムセラミックスの熱伝導率は170〜1／2，230 w／mkである。比較的良好な放熱を達成できる。

より整合的な熱膨張係数は、一般的に、Siの材料はSi（シリコン）GaAs（ガリウム砒素）であり、セラミックスとチップの熱膨張係数は近接しており、温度差が急激に変化すると変形が大きくなり、ワイヤ半田付けや内部応力などの問題が生じる。

高い接合強度は、石器セラミック基板製品の金属層とセラミック基板との接合強度が高く、最大45 mm（セラミックシートの厚さが1 mm以上）に達することができる。

純粋な銅を通しての穴石陶製DPCプロセスは、PTH（メッキされた穴）/ビア（ビア）を支えます。

高い動作温度のセラミックスは、大きな変動を伴う高温・低温サイクルに耐えることができ、600度の高温でも正常に動作することができる。

セラミック絶縁材料は絶縁性材料であり、高耐圧で耐えることができる。

カスタマイズされたサービス--シリコーンは顧客ニーズに従ってカスタマイズされたサービスを提供することができて、製品設計図面とユーザーによって与えられる要件に従って大量生産を行うことができます。ユーザーはより多くの選択肢を持つことができ、より人道的である。

DPC基板プロセスは、セラミック基板上の銅−金属複合層にスパッタ・接合するための真空コーティング法を用いて、銅とセラミック基板とが超接着力を有するようにして、次に、黄色光マイクロシェーディングのフォトレジストを使用して再露光し、現像し、エッチング及びフィルム除去工程を完了し、回路製造を完了する。最後に，電気めっき／無電解めっきにより回路の厚さを増加させる。フォトレジストを除去した後、金属化回路の製造を終了する。

セラミック基板 高密度の将来の発展方向に沿ってより多く, 高精度・高信頼性がPCBメーカーに対して、セラミック基板 より実行可能な選択です. IPCB（株） は、高品質の製品を作成する, 顧客により満足のいく製品とサービスを提供する, そして、顧客とのウィンウィン協力を達成する.