PCBニュース - トランジスタは、PCBAボードの重要な電子部品です

トランジスタは重要な電子部品である PCBAボード
トランジスタは、電子信号およびパワーを増幅またはスイッチするために使用される半導体デバイスである. それは、少なくとも3つのピンによって、通常外部回路に接続される半導体材料から成る. それらは重要な電子部品である PCBA 板. トランジスタは、主にバイポーラ接合トランジスタおよび電界効果トランジスタ.

1. Bipolar Junction Transistor (BJT)
Bipolar junction transistor, 半導体トライオードとも呼ばれる. トランジスタは多数キャリアと少数キャリアを用いて行われるので, バイポーラ接合トランジスタは、量産されるトランジスタの第1のタイプである. つの接合ダイオードの組合せであり、2つのn型半導体の間に挟まれている. Between the p-type semiconductor film (np-n-type transistor), or sandwiched between two p-type semiconductors (pnp transistor) between the n-type semiconductor thin film. この構造は、2つのpn接合を形成する, エミッタ接合, コレクタジャンクション, 中央のベース領域の薄い半導体領域によって、切り離される.

BJTは3層の半導体（エミッタ、ベース、コレクタ）に対応した3端子を有する。エミッタおよびコレクタの電流を比較的小さなベース電流によって制御することができるので、それらは増幅器において有用である。活性領域で動作するn−p−nトランジスタにおいて、エミッタ及びベース接合は順方向バイアス（接合部で再結合する電子及び正孔）であり、電子はベース領域に注入される。狭いベースのため、これらの電子の大部分は逆バイアスベースとコレクタに拡散し、コレクタに掃引される多分、電子の1パーセントがベース電流の主要なメカニズムの一部であるベースで再結合するでしょう。ベースを残すことができる電子の数を制御することによって、コレクタに入っている電子の数は、制御される。コレクタ電流は、基準電流（コモンエミッタ電流利得）のほぼ1／2程度である。それは、通常、小信号トランジスタのために100より大きいが、高出力用途のために設計されたトランジスタでは小さくすることができる。

電界効果トランジスタとは異なり、BJTは低入力インピーダンスデバイスである。さらに，ベースとエミッタの電圧（vbe）が増加すると，ベース電流，エミッタ電流，コレクタ電流とエミッタ電流（ice）は，ショックレーダイオードモデルとebers mollモデルに従って指数関数的に増加する。この指数関数的関係により，bjtはfetの相互コンダクタンスが高い。

バイポーラ・トランジスタは、ベース領域の光子の吸収がベース電流として光電流を生じるので、光にさらすことによって、電気を導通できるコレクタ電流は光電流の約5倍である。このために設計されたデバイスは、フォトトランジスタと呼ばれるパッケージに透明な窓を有する。

2. Field Effect Transistor (FET)
Field effect transistors are mainly used to conduct conduction on electrons (in n-channel FETs) or holes (p-channel FETs). FETの4つの端子をソースと呼ぶ, ゲート, drain and body (substrate). ほとんどのFETで, 本体はパッケージ内のソースに接続されている.

FETにおいて、ドレイン領域とソース電流は、ソース領域をドレイン領域に接続する導電性チャネルを流れる。導電性は、ゲートとソース端子との間に電圧が印加されたときに発生する電界によって変化するしたがって、ドレイン−ソース間に流れる電流は、ゲート−ソース間に印加される電圧によって制御される。ゲート電圧（Vgs）が増加するにつれて、Vgsがしきい値よりも低いとき、ドレイン電流源（IDS）は指数関数的に増加し、次に、「空間電荷制限」面積は、ほぼ2次レートで閾値より高くなる。65ナノメートルの技術ノードのような現代デバイスでは、二次性は見られない。狭帯域および低雑音の場合、FETのより高い入力抵抗は有利である。

回路内のトランジスタの一般的に使用される電子部品は、ダイオード254を含む, 三極, 電界効果管, etc. 明らかにトランジスタの種類を識別することは、基本的なスキルです PCBA処理 process.