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Los circuiComo En el En el En el En el En el En el En el En el En el En el En el En el En el interiorteriorteriorteriorteriorteriOteriOteriOteriorteriOteriorteriOteriOtegr1.dos heterogéneos Tres dimensiEnes Ad1.ví1. se enfrent1.n 1.l umbr1.l de l1. producción 1. gr1. esc1.l1.
Aunque Este CircuiA integr1.do tridimensiEn1.l+TSV TridimensiEnal Apilar Tecnología Sí, claro. CrecimienA Este Densidad Pertenecer Este PatatComo frItComo Tener Este Mínimo Región, DSí.minución CosA Y DSí.minución Este ProducComo Tamaño, Y PO cEnsiguiente, Mejora Este Actuar Y Fiabilidad Pertenecer Este PatatComo frItComo, Samsung Sí. Y Este First A En el interiortroducción a Del mSí.mo tipo Tres dimensionesCircuiA integrado Apilar NY FlComoh flComoh Memoria, DDR3 Memoria, Y Apilar Vidi/Oderam PatatComo frItComo Para EscriArio Y Cuaderno Computadora.
La tecnología 2................5d se ha utilizado ampliamente en PatatComo frItComo lógicos como Procesador central / (GPU) / (FPGA). En el interiorternaciEnal Business Machines Corporation / AMD 2.5d / 3dic Technology Will FurEster promote Heterogeneous En el interiortegrado Aplicación Tal Como (DRAM), CIS, (derecha), Diodo emSí.or de luz Y OpAelectronic Comp1.nte. Joel International SemiconducAr AAsí que...ciación (semii) conEstañoúa con el proyecA 3dtsv, invItYo a HP, International Business Machines Corporation, InParamación, Samsung, Qualcomm, Electricidad acumulada de la estación, UTC, Moderno, aEnech ((ASE), ConocimienA de embarque, Samsung, meguiar, Global Fund, nexx, frmc y otrComo industriComo a invertir ComportamienAivamente en la I + D y la producción de 3dic, construyendo una cadena industrial Tres dimensiones estYarizada y clara de ecología.
La aplicación de integración actual de 3dic Adavía pertenece al mSí.mo proceso de fabricación, es decir, la integración de PatatComo fritComos homogéneos (homogéneos), como DRAM, NY flComoh Core o Microprocesador MultiNúcleo. A Parteir de este año ((2013)), iek espera que 3dic con una pila uniParame de DRAM y nYflComoh entre en producción. Para la integración heterogénea del PatatComo fritas lógico (lógica), el Patatas fritas de memoria (DRAM), el IC de radiPertenecerrecuencia (RF), el amplSiicador de potencia (((PA))), el Patatas fritas de conversión foAeléctrica, Etc.., está limitado por el consumo de energía y el coeficiente de Tela de embalaje. Aún no se ha sAscendenteerado.
2.5d Mediation Technology First Introduccións FPGA, GPU / Apu Entrada Production
Como se mencionó 1.teriormente, 3dic se utiliza para la integración heterogénea. Apila Patatas fritas de silicio desnudo con diferentes procesos lógicos y características operativas, y utiliza la tecnología TSV (Silicio Drilling) para interconectar los Patatas fritas. CuYo se apil1. diferentes tipos de Patatas fritas, los problemas de dSí.ipación de energía y calor requieren un tratamienA eEspecial.
Si sólo se apilan Patatas fritas DRAM con una Neuroterapia de estimulación eléctrica percutáneaión de 1 V y una potencia de 2 W, la corriente de arranque es de aproximadamente 2 amperios. Si una Procesador central Multicore de 2 GHz o una unidad de procesamienA gráfico (GPU) se apila en ella, puede requerir fácilmente docenas de vatios o más. 100 vatios, la corriente de arranque ligero puede ser de Sí.ta docenas de amperios, casi manejable por baterías de clase auAmotriz. Este Patatas fritas es mortal para el dSí.eño de dSí.positivos portátiles móviles; Y proporciona una gran corriente en una región tan limitada y densa. El dSí.eño del cableado del CircuiA de alimentación y la elección del Patatas fritas de alimentación son desafíos técnicos, e incluso la corriente en sí es la Quizás.or fuente de interferencia que afecta la eficiencia y estabilidad del Circumfluenceo.
High-Frecuencia Actividades Procesador central Y Chip GPU Sí, claro. Normalmente Calor Ascendente A 120 Grado. Sin embarIr,, Cuándo Este DRAM Y NY flash Muerte Más allá 8.5 grados Celsius, Este Refrescar MeSí, claro.Sí.mo Y AlmacenamienA Tolerancia Will Sí. Anormal. Si Este Procesador central Sí. Fusión Tener DRAM, NY flash Apilar AgeEster, Este AlA Calor Pertenecer Este Procesador central Will Influencia DRAM Y NY flash; in Adiciones, Como FoAelectricidad TransParamación Instalación, Este Actividades Estabilidad Will Sí. Gran Tierra DSí.minución Cuándo Este Temperatura AlSí, claro.zar 80 grados Celsius or Más. Estere Sí. Y Diferente Tipo Pertenecer Calvo Muerte Material. Cuándo Apilar AgeEster, Este EsSemestreal Enfatizar EfecA on Este Material de embalaje MeSí, claro.Sí.mo caAGasAsumbrarse a Aprobación Diferente Estermal Expansión Coeficiente DeSí. Sí. ConLadorado, Y Incluso si overCaloring Will Causa Este DeParamación Pertenecer Este Apilar Oblea Capa Y Incluso si Este tin Agrietamiento. Cómo to Correcto Arreglos Este Apilar Secuencia Pertenecer Estese Patatas fritas Tener Diferente Temperatura Características so Ese Estey Will No. Influencia Cada uno Además Durante el período Calor DSí.ipación Sí. a Muy Austero Técnica Desafío. Esto Sí. Este Causa ¿Por qué? Circuito integrado tridimensional, ¿Cuál? Sí. Una vez Gran Sí, claro.tidad-produced, ApSí.cer First in low-Poder DRAM Y NY flash-equivalent Apilar Productos.
2.5dic (or 2.5DInsertor) Tecnología Sí. First Presentar Aprobación Este Fábrica LiderazIr (ASE), Y Más tarde Sí.came a term Seguir Aprobación Este Semiconductor Industria. Este Métodos Sí. to Hacer Este Muertes Pertenecer Todo tipo de Procesoes/Trabajo Características No. Apilar on Cada uno oEster, Pero Arreglos in Paralelo Y Cerrar to Cada uno oEster, Colocación on Este Vidrio or Silicio-based Tela Insertor ((inserter)) Para Contacto, Y Esten Conectado to Este Bottom Este Placa de Circumfluenceo impreso Circumfluence Tabla shorNeuroterapia de estimulación eléctrica percutánea Este Señal Retraso Tiempo Y Mejora Este Amplio SSí.tema Actuar Cada uno Paralelo Muerte can Sí. Individualmente Ensayo Y Esten PerParaación Y Montaje Lado Aprobación Lado. It Hacer No. Necesidad to go Aprobación Este Calor/ElectromagnetSí.mo Radiación Examen, as Largo as it is Colocación on Este Intermedio Tabla ( Insertor) can go Aprobación an Amplio Integración Examen Después Material de embalaje. Cuándo Actuar Circuito integrado tridimensional Apilar, Caliente/Electromagnetismo Ensayo DeSí. Sí. Actuar on Cada uno Capa in Este Stack if one Pertenecer Este Muerte is Defectuosa, Este Todo Circuito integrado tridimensional Apilar Instalación DeSí. Sí. Reembolso.
2.5dic is ConLadorar como Aprobación Este Semiconductor Industria as an Intermediario Tecnología for Este Transición to Este El futuro Circuito integrado tridimensional. In Adiciones to Uso Interposer to act as a Expresión Puente Entre Patatas fritas, Atención DeSí. Y Sí. Pago to Problema Tal as Este Conjugación Pertenecer Muerte Y Interposer, Tela Atributo, Y Caliente Enfatizar. CompSí.d Tener Circuito integrado tridimensional, 2.5dic Sí. a Reducir Técnica Cuello de botella. Este Silicio Insertor AGastosumbrarse a in Este Circumfluence Tabla ((siInsertor)) Normalmente Hacer No. Necesidad to Uso Este 40 nm or Incluso si 28 nm Avanzado Industria manufacturera Proceso Como Este Máquina de procesamiento Patatas fritas, Y Este Industria manufacturera cost can Sí. Disminución.
Toma. Chip de procesador FPGA Silinx 2.5d as an Ejemplo. Después Este bSí. 28/40 nm FPGA Patatas fritas Sí. Arreglos Lado Aprobación Lado, Ellos Sí. Colocación on a 65 nm Silicio Insertor. Este Todo cost is Reducir Relación Este Anterior 40 nm or Incluso si 28 nm SOC Proceso. Allá ... allí.fore, Este Aplicación Dominio Pertenecer 2.5dic is No. Finita to Memoria Patatas fritas. Alto rendimiento Y Altoly Integrado Modo de pensar Cálculo Patatas fritas Tal as FPGA, Procesador central, GPU, Etc.., Sí. Inicio to Solicitud 2.5dInsertor Tecnología.
2.5d / 3dic Killer Application
Semiconductor ¿Quién? Sí. Introducción Este 2.5dic Concepto Entrada Gran cantidad Producción Sí. Representative Aprobación Este Principal Programable Modo de pensar Puerta principal Montón (FPGA) Fabricante Xilinx Y Alter a. Ambos Empresa Uso Electricidad acumulada de la estación Corvos ((sustrato de Patatas fritas)) 2.5dic Tecnología. Como Xilinx Virtex - 72000 tfpga Patatas fritas, 28 nm Calvo Muerte Sí. Estrechamente Arreglos side Aprobación side. Este micro Bump Abajo Este Calvo Muerte Sí. Conectado to a 65 nm Silicio interposer. Después Ese, Ellos Sí. Conectado to Este Soldadura Bola Aprobación TSV Tecnología Y Y luego Penetración. Conexión Este Soldadura Bola to Este Placa de circuito impreso Board Abajo.
Además, el Patatas fritas gráfico Intel Iris pro 5200 (gt3e), que coincide con el procesador International Business Machines Corporation Poder8, el procesador Intel Core de cuarta generación ((HasEstá bien.)) y el procesador AMD semi - personalizado 8, también utilizará la tecnología de empaquetado dic 2.5.
En cuanto a la parte 3dic, además de la pila uniforme de Patatas fritas DRAM (E / s de bYa ancha) y Patatas fritas de memoria flash NY, altera anunció recientemente la próxima generación de productos FPGA de 20 nm que utilizarán el proceso de 20 nm de Electricidad acumulada de la estación más la integración heterogénea 3dic y la tecnología de apilamiento. Se han integrado más de dos conjuntos de Patatas fritas FPGA, Patatas fritas de procesador multi - núcleo Brazo, Patatas fritas asic de copia impresa personalizables por el usuario, procesadores de señales Digitales Procesador de señales digitales de precisión ajustable y Patatas fritas de memoria cúbica apilados multicapa.
ASE, Silicon Productos, Li Cheng Y nanmao Sí. a Global 56% Copropiedad in Material de embalaje Y Testing Fundición Market, ¿Cuál? is Y Este Clave Pertenecer Este Final Kilometer Pertenecer 3dic Industry Chain. Ase adopta el estándar Tres dimensionesS - IC de la Plataforma semiestándar, y coopera activamente con el Instituto de diseño y la fundición para completar las especificaciones de interconexión de cobertura de Muertetodie y dietosip, as í como la verificación de la fiabilidad de apilamiento, medición y embalaje 3D. Procedimientos de retención entre fundición, almacenamiento de memoria, embalaje y ensayo de placas portadoras 3D, abrazaderas, fábricas, as í como la participación en obleas TSV, métodos de apilamiento de memoria jedecjc - 11widei / o y especificaciones relacionadas con la garantía de calidad 3dqa.
Además, TSMC también introdujo la tecnología de producción integrada de 2,5d / 3dic cowos (sustrato de obleas de Patatas fritas), que proporciona servicios de compras de una sola parada como TSV / 3D, todo tipo de materiales salientes, incluyendo tecnología de Plantación de bolas, capa intermedia de silicio (capa intermedia de silicio) e integración de subsistemas. Mientras tanto, continuSí.mos invirtiendo en tecnología dic 2.5d / 3 para acelerar la introducción de toda la cadena industrial de Eda, Propiedad intelectual, pruebas, equipos, proveedores de obleas de silicio y plantas de embalaje. UIT y Aguas abajo Material de embalaje Y Testing Factory están buscYo un Modeloo de Industria abierta para desarrollar la tecnología 3dic.
IK Señalar Sal. Ese Circuito integrado tridimensional Tecnología Sí. Una vez Introducción Entrada Memoria Almacenamiento Patatas fritas Tal as NY flash Y DRAM Antes 2010. Desde 2010, Gran cantidad Producción Pertenecer CIS (CMOS Imagen sensor) Y Sistema MEMS ((MEMS)) Componente Sí. Y Una vez Introducción. Estere are Aplicacións Tal as Poder Amplificador Patatas fritas (PA), Chip de iluminación Diodo emisor de luz Material de embalaje, Y Fotoelectricidad Transformación Elementos Material de embalaje. In 2013, it is Anticipación Ese Este Del mismo tipo Multicapaed Cubo de memoria Y Vidi/Oderam Will be Producción en masa; Y Este Compuesto de muchos tipos Circuito integrado tridimensional (Heterogeneous Circuito integrado tridimensional) Integración Multicore Procesador central, FPGA, Asic, Memoria, Y Fotoelectricidad Componente is Anticipación to be Introducción Entre 2014 Y 2015 Real Gran cantidad Producción Fase.
