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Tecnología de sustrato IC

Tecnología de sustrato IC - Cómo se producen los dispositivos electrónicos semiconductores

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Tecnología de sustrato IC - Cómo se producen los dispositivos electrónicos semiconductores

Cómo se producen los dispositivos electrónicos semiconductores

2021-08-31
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Author:Belle

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Allá ... allí. Sí. Magia Derecho in Este Industria de Semiconductores Ese Tell us Cómo Rápido Este Desarrollo Pertenecer CircuIto integrado Tecnología Sí. Propulsión. Esto Sí. Este FantComotico! Ley de Mol. Ley de Mol Derecho Sí. a Bien conocido Derecho in Este Semiconductor Industria. It Sí. Tampoco a Físico Derecho Tampoco an Económico Derecho. It Sí. a Derecho Estrechamente Pertinente to Física, Tecnología, Creación Y Economía, Y it Sí. Y a PrPertenecerecía Pertenecer Este Semiconductor Industria. Este Todos Idea Pertenecer Ley de Mol Derecho Sí. Ese Este Número Y Actuar Pertenecer Comp1.nte Ese Sí, claro. Sí. Colocación on a PEnEnComo fritas Duplicar Cada uno Algunos Número Pertenecer Año. Para Décadas, Este Densidad or Actuar Pertenecer Chip Circuito integrado Componente Sí. Aumento En an Casi Índice Velocidad. 1. Pertenecer Este Fantastico! Cosas Sobre Ley de Mol Derecho Sí. Este ","Auto - realización PrPertenecerecía, Y Conocido as Autorrealización PrPertenecerecía. ConParame to Esto PrPertenecerecía, it is Posible to Previsión Cómo Este Componentes Densidad on Este Patatas fritas Will Cambio Fin Tiempo. Este Fundador Pertenecer Ley de Mol Derecho is Gordon Mol (Gordon E. Mol, 1929).


Gordon Mol Sí. Nacimiento in 1929 in a Pequeño Ciudad on Este Pacífico Costa Pertenecer Red de área de almacenamiento Francisco, California, Cercano Silicio Valle. In 1950, Mol Recibido a Licenciatura Grado in Química A partir de... Este Universidad Pertenecer California, Berkeley, a Doctorado in Química A partir de... Este California Instituto de investigación Pertenecer Tecnología in 1954, Y Y luego a Postdoctoral Investigación Compañero at John Hopkins Universidad.

Semiconductor


In 1957, Poco tiempo Después Mol Graduación, Robert Noyes (Robert N. Noyes, 1927~1990) Y Además 8. Persona Pertenecer to William B. Shockley ((1910 - 1989)) Y Participación in Este Establecimiento Pertenecer Este Shockley Semiconductor Laboratorio. Porque Estos Informaciónigente Persona Imposible Estación Este Jefe Gestión, Mol, Noyes Y Vi Otros Izquierda Schockel Menos Relación a Año Más tarde. Shockley Hacer una llamada telefónica Ellos "Noche de traidores". Más tarde, Estos Ocho Persona Establecimiento Prominencia Semiconductor Empresa Tener Este Apoyo Pertenecer Prominencia Cámara Equipo Empresa.


Después Trabajo at Fairchild for 10 Año, Moore Y Noyes Establecimiento Su Empresa Intel in Silicio Valle in 1968. Muchos Año Más tarde, Moore Sí. Y Conocido as one Pertenecer Este "Padre Pertenecer Silicio Valle. In 1990, Y luego Estados Unidos Presidente George. Arbusto Conceder Este "Nacional Medallala for Tecnología Y Creación." Moore Jubilado in 2001 Y Entrada Este American Invención Vestíbulo Pertenecer Fama in 2009. 2008 In 2015, Moore Sí. Conceder Este Honor Pertenecer Este Instituto de investigación of Relacionado con la electricidad Y Electrónica Ingeniero ((IEEE)) for Su "Avanzado Técnica Papel in Integrado Circumfluence Tratamiento Y Liderazgo in Este Desarrollo of Metal Óxido Semiconductor Instalación ((MOS)) Memoria, Microprocesador, Computadora, Y Semiconductor "Industria" Medal. Esto is a Muy Adecuado Cumplido to Mr.. Moore. As a Pioneer in Este Dominio of Circuitos integrados Semiconductores, Su Profecía Sí. Guía Y Inspirador Este Desarrollo of Este El mundo Semiconductor Industria