Scheda DDR a 4 strati

Caratteristiche del vettore DDR

Struttura di giunzione ad alta densità

Struttura di galvanizzazione e impilamento del foro di riempimento del foro

Vari metodi di trattamento superficiale

Requisiti di planarità delle lamiere e delle superfici

Riempimento in resina

Processo di applicazione del vettore DDR

Metodo di semi addizione, perforazione laser,

Applicazione del vettore DDR

Smartphone, computer, prodotti Internet delle cose, prodotti elettronici di messaggio

Il nome completo della memoria DDR è DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM). DDR SDRAM è stata proposta per la prima volta da Samsung nel 1996. Si tratta di una specifica di memoria negoziata da otto aziende, tra cui NEC, Mitsubishi, Fujitsu, Toshiba, Hitachi, Texas Instruments, Samsung e Hyundai, ed è stata premiata con AMD, VIA e SiS. Supporto dei produttori di chipset. È una versione aggiornata di SDRAM, quindi è anche chiamata "SDRAM II".

DDR è la specifica di memoria mainstream all'inizio del XXI secolo, e tutti i prodotti mainstream dei principali produttori di chipset lo supportano. Il nome completo di DDR è DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM, Double Data Rate SDRAM). La frequenza nominale di DDR è la stessa di quella di SDRAM. A partire dal 2017, le frequenze operative DDR sono principalmente 100MHz, 133MHz e 166MHz. Poiché la memoria DDR ha le caratteristiche di trasmissione dati a doppia velocità, il metodo di frequenza operativa*2 è adottato nell'identificazione della memoria DDR, cioè, DDR200, DDR266, DDR333 e DDR400, alcuni produttori di memoria hanno anche introdotto la memoria DDR a più alta frequenza per soddisfare le esigenze degli appassionati. Il cambiamento più importante riguarda la trasmissione dei dati dell'interfaccia. Può eseguire l'elaborazione dei dati sui bordi in salita e in discesa del segnale di clock, in modo che la velocità di trasmissione dei dati possa raggiungere il doppio di quella di SDR (Single Data Rate) SDRAM. Per quanto riguarda i segnali di indirizzamento e controllo, sono gli stessi di SDRAM e vengono trasmessi solo sul bordo ascendente dell'orologio.

Rispetto al modulo SDRAM, il modulo SDRAM DDR adotta un circuito stampato a 184 pin (pin), 4-6 strati e l'interfaccia elettrica viene cambiata da "LVTTL" a "SSTL2". È lo stesso del modulo SDRAM in altri componenti o pacchetti. Il modulo SDRAM DDR ha un totale di 184 pin e manca solo uno slot, che non è compatibile con il modulo SDRAM. DDR SDRAM è anche diversa da SDRAM in termini di principi di denominazione. SDRAM è chiamato in base alla frequenza di clock, come PC100 e PC133. E DDR SDRAM si basa sul volume di trasferimento dati come principio di denominazione, come PC1600 e PC2100, l'unità è MB/s. Quindi DDR200 in DDR SDRAM è in realtà la stessa specifica di PC1600, e il volume di trasferimento dati è 1600MB/s (64bit*100MHz*2÷8=1600Mbyte/s), e DDR266 e PC2100 sono gli stessi (64bit*133MHz*2÷ 8=2128MBytes/s).

DDR SDRAM si basa sul tempo di ritardo del segnale (CL; CAS Latency, CL si riferisce al numero di cicli di clock di sistema dopo aver ricevuto il segnale prima della lettura. In generale, più breve è meglio, ma questo dipende anche dal valore di impostazione originale delle particelle di memoria, altrimenti causerà instabilità del sistema) è anche diverso. Secondo la definizione della Joint Electronic Engineering Design and Development Association (JEDEC) (il numero specifico è JESD79): DDR SDRAM ha due ritardi CAS, divisi in 2ns e 2,5ns (ns è un miliardesimo di secondo). La più veloce DDR SDRAM CL=2 più PC 2100 specifica è chiamata DDR 266A, e la più lenta CL=2.5 più PC 2100 specifica DDR SDRAM è chiamata DDR 266B. Inoltre, la PC1600 DDR SDRAM più lenta non ha un numero speciale a questo proposito.