Microwave Teknolojisi - 5g ön taraf RF Teknolojisi

5G dönemi açılırken, ağ üssü istasyonları ve kullanıcı ekipmanları (mobil telefonlar gibi) daha düşük ve daha düşük oluyor ve enerji tüketimi de daha düşük ve düşük oluyor. Çoğu RF uygulamalarında kullanılan basılı devre tahtası (PCB) ayrıca küçük aygıtlara uyum sağlamak için de boyutlu düşürülüyor. Tipik bir RF ön tarafı değiştirme, filtre, amplifikatör ve ayarlama komponentlerinden oluşur. Cep telefonu, küçük cep telefonu, anten seri sistemi ve Wi Fi gibi 5 g uygulamalarda, RF ön uç kompleks ve çok büyük bir sistem paketi haline geliyor.

İlk komponenti olarak, RF ön tarafındaki teknik gelişmeler nedir?

1. Gan teknolojisi

Gallium nitride (GAN) bir çeşit ikili III / V grup boşluğu yarı yöneticidir. Bu yüksek güç ve yüksek sıcaklık dirençli transistor için çok uygun.

Galyum teknolojisinin önemli özellikleri böyle:

Güvenilir ve güçlü güçlük: gallyum nitride daha yüksek güç etkileyici ve bu yüzden ısı çıkışını azaltır. Galyum nitride kullanarak bu yüksek maliyetli ısı patlama metodlarını yok edebilir.

Aşağıdaki tüketim düşük: gallyum nitride çalışma maliyetlerini azaltır ve daha az ısı oluşturur. Ayrıca, düşük akışın da sistem enerji tüketimini ve enerji ihtiyaçlarını azaltmaya yardım ediyor.

Güç yeteneği: Gan aygıtları diğer yarı yönetici teknolojilerinden daha yüksek çıkış gücü sağlar.

Frekans bandı genişliği: gallyum nitride yüksek impedans ve düşük kapı kapasitesi var. Bu, daha büyük çalışma bandwidth ve daha yüksek veri transmisi hızına ulaşabilir.

Bütünleşme: 5G'nin küçük bir çözümü gerekiyor. Büyük ölçek, çoklu teknoloji, diskretli RF önucu tek, tamamen integral çözümlerle değiştirmesini sağlayan teminatçılar için sorguladı.

2. Kocaman akustik dalga filtr teknolojisi

Yüzey akustik dalga (SAW) filtrü ve çoğu akustik dalga filtrü (BAF) küçük meşgul alanın, harika performans, ekonomik uygulanabiliğinin avantajları var.

Çoğu akustik dalga filtrü 1 GHz'den 6 GHz'e kadar frekans grubu için en uygun ve yüzeysel akustik dalga filtrü 1 GHz'in altındaki frekans grubu için en uygun.

Akıllı telefon tasarımcıları için 5G, bateri hayatı ve anne tahtası alanı için bir challenge.

4G'den 5G'ye kadar sürpriz değil, mobil telefonlarında kurulan filtreler sayısı dramatik olarak arttı ve taşıyan toplantısı arttırmaya katkı sağlayan en önemli faktördür.

3. RF teknolojisi, paket ve tasarım

RF önucu birkaç yarı yönetici teknoloji aygıtlarından oluşur. Çoğu 5G uygulamaların her eşsiz kullanım davasının ihtiyaçlarını yerine getirmek için çeşitli işleme tekniklerine, tasarlama tekniklerine, integrasyon metodlarına ve paketleme metodlarına ihtiyacı var.

7GHz aşağıdaki 5G grubu için, uyumlu RF ön ucu çözümleri yenilik paketleme metodlarına ihtiyaç duyuyor. Komponentlerin kompleksitesini geliştirmek, kaybı azaltmak için komponentler arasındaki kablo uzunluğunu azaltmak, iki taraflı yerleştirme, alan koruması ve yüksek kaliteli yüzey dağıtma teknoloji komponentlerini kullanmak için.

Bütün 5G kullanma davaları RF ön tarafı teknolojisi gerekiyor. RF fonksiyonu, frekans grubu ve güç seviyesine göre, RF yarı yönetici teknolojisinin seçimi farklıdır.