Technologie PCB - TSMC réalise une percée majeure dans le processus 2nm de l'usine de carte de circuit imprimé de lampe automobile

Selon l'éditeur de l'usine de carte de circuit imprimé de lampe automobile, la recherche et le développement du processus 2nm de TSMC ont réalisé une percée majeure. Selon la chaîne d'approvisionnement, contrairement à 3nm et 5NM avec l'architecture finfet, TSMC a adopté une nouvelle architecture de transistor à effet de champ à canal multipont (mbcfet) à 2nm. La recherche et le développement sont avancés et l'industrie est optimiste pour 2023. Au cours de la seconde moitié de l'année, le taux de réussite de la production d'essai à risque peut atteindre 90%, ce qui aidera à l'avenir à continuer de gagner de grandes commandes de processus de fabrication avancés d'Apple, NVIDIA et d'autres grands fabricants, et à battre Samsung.

Les processus de fabrication de semi - conducteurs se rétrécissent en cours de route et sont confrontés à des contraintes physiques. La préoccupation initiale de l'industrie était que la loi de Moore reste défavorable, c'est - à - dire que le rythme de progression d'une ère de processus tous les 18 mois est bloqué, ce qui affecte le développement de processus avancés pour les fabricants de semi - conducteurs tels que TSMC.

Samsung devrait investir dans le processus de 5 nm d'ici la fin de l'année, derrière TSMC. Comme TSMC a fait une percée majeure sur le nouveau nœud de processus de 2nm, il a été annoncé que TSMC continuera à développer la loi de Moore et, plus certainement, la probabilité d'une avancée future vers 1nm augmentera considérablement et élargira encore l'écart avec Samsung. TSMC n'a jamais commenté les commandes et autres dynamiques et n'a pas révélé les détails du processus 2nm jusqu'à présent, indiquant simplement que 2nm sera une nouvelle architecture.

Les initiés de l'industrie ont noté que le Taiwan semicontrol 2020 fera ses débuts le 23 septembre. Liu deyin, Président de TSMC, a été invité à prononcer un discours liminaire. Le marché se concentre sur la recherche et le développement de processus avancés de TSMC dans l'intelligence artificielle (IA), les communications mobiles de cinquième génération (5G) afin de promouvoir son influence et de suivre les dernières avancées dans la recherche et le développement de processus avancés de TSMC publiées par Liu deyin.

Il est rapporté que TSMC a mis en place une équipe de recherche et développement de projet 2nm l'année dernière pour trouver une voie de développement viable. 2nm utilise une structure mbcfet basée sur le processus de porte enveloppante (GAA), en tenant compte des conditions telles que le coût, la compatibilité de l'équipement, la maturité technique et les performances, Pour résoudre le problème des limites physiques des fuites de contrôle de courant finfet en raison de la contraction du processus, et l'amélioration de la technologie de micro - développement dans l'ultraviolet extrême (EUV) qui a permis à la technologie clé d'empilement de nano - feuilles développée par TSMC au fil des ans d'être plus mature, Les progrès vers l'amélioration de la performance ont été relativement lents. Les progrès sont attendus.

Wei Zhejia, Président de TSMC, a révélé lors du dîner de l'Association des sciences et technologies de Yushan que chaque génération de progrès technologiques de TSMC, la vitesse et l'efficacité des produits des clients seront améliorées de 30 à 40%, et la consommation d'énergie peut être réduite de 20 à 30%.

Les fabricants de cartes de circuits imprimés estiment que la bonne vitesse et la performance de 2 nanomètres de TSMC sont attendues. Il est prévu qu'après la commercialisation sera adopté par Apple, NVIDIA, Qualcomm, ultramicro et d'autres grands clients, et passera progressivement à 2 nanomètres film. Surtout après l'acquisition d'ARM par NVIDIA, il se dirige vers l'informatique à grande vitesse comme les supercalculateurs et les centres de données à très grande échelle. À l'avenir, il dépendra davantage de la coopération avec TSMC.