Sustrato DdR de 4 capas

Características del portador de paquetes DDR

Estructura de Unión de alta densidad

Relleno de agujeros, galvanoplastia y apilamiento de agujeros

Varios métodos de tratamiento de superficie

Requisitos de planitud de las placas y superficies

Relleno de resina

Proceso de aplicación del portador de paquetes DDR

Método de semiadición, perforación láser,

Aplicación del portador de paquetes DDR

Smartphone, Computer, Internet of things Products, Information Electronic Products

El nombre completo de la memoria DDR es DDR SDRAM (Dual Data Rate SDRAM). DDR SDRAM fue propuesto por primera vez por Samsung en 1996. Es una especificación de memoria negociada por ocho empresas, incluyendo NEC, Mitsubishi, Fujitsu, Toshiba, Hitachi, Texas Instruments, Samsung y Hyundai, y ha sido galardonado por AMD, via y SIS. Soporte del fabricante del chipset. Es una versión actualizada de SDRAM y por lo tanto también se llama SDRAM II.

DDR es la principal especificación de memoria a principios del siglo XXI, soportada por todos los principales productos de los principales fabricantes de chipsets. El nombre completo del DDR es DDR SDRAM (doble tasa de datos SDRAM, doble tasa de datos SDRAM). DDR tiene la misma frecuencia nominal que SDRAM. Hasta 2017, las frecuencias de DDR son principalmente 100mhz, 133mhz y 166mhz. Debido a que la memoria DDR tiene la característica de transmisión de datos de doble velocidad, el método de frecuencia de trabajo * 2 se utiliza en la identificación de la memoria DDR, es decir, ddr200, ddr266, DDR333 y ddr400. Algunos fabricantes de memoria también introducen la memoria DdR de mayor frecuencia para satisfacer las necesidades de los entusiastas. El cambio más importante es la transferencia de datos de interfaz. Puede procesar los datos en el borde ascendente y descendente de la señal del reloj, lo que hace que la velocidad de transmisión de datos sea el doble de SDR (tasa de datos única) SDRAM. En cuanto a las señales de dirección y control, son las mismas que SDRAM y se transmiten sólo en el borde ascendente del reloj.

En comparación con el módulo SDRAM, el módulo DDR SDRAM utiliza 184 Pines (PIN), 4 - 6 capas de placa de circuito impreso, y la interfaz eléctrica se cambia de "lvttl" a "sstl2". Es el mismo que el módulo SDRAM en otros componentes o paquetes. El módulo SDRAM DDR tiene 184 Pines y sólo falta una ranura, lo que no es compatible con el módulo SDRAM. DDR SDRAM también difiere de SDRAM en términos de principios de nombres. SDRAM se nombra de acuerdo a la frecuencia del reloj, como pc100 y pc133. DDR SDRAM se nombra de acuerdo a la cantidad de datos transmitidos, como pc1600 y pc2100, en MB / S. Por lo tanto, el ddr200 en el SDRAM DDR es en realidad el mismo tamaño que el pc1600, con una capacidad de transmisión de datos de 1600 MB / S (64 bits * 100 MHz * 2·8 = 1600 MB / s), y el ddr266 es el mismo que el pc2100 (64 bits * 133 MHz * 2·9 = 2128 MB / s).

DDR SDRAM se basa en el tiempo de retardo de la señal (CL; tiempo de retardo CAS, Cl es el número de ciclos de reloj del sistema antes de que la señal sea leída después de la recepción. En general, cuanto más corto mejor, pero esto también depende de la configuración original de las partículas de memoria, de lo contrario causará inestabilidad del sistema) también es diferente. Según la definición de la asociación conjunta de diseño y desarrollo de ingeniería electrónica (jedec) (especificación jesd79): la SDRAM DDR tiene dos retrasos CAS, divididos en 2 NS y 2,5 Ns (1 billón de segundos para ns). El CL más rápido = 2 más la especificación PC 2100 DDR SDRAM se llama DDR 266a, mientras que el CL más lento = 1,5 más la especificación PC 2100 DDR SDRAM se llama DDR 266b. Además, la SDRAM pc1600 DDR más lenta no tiene un número especial a este respecto.