Tin tức về PCB - Giới thiệu về bảng mạch in kết nối mật độ cao (HDI)

Bảng mạch in kết nối mật độ cao (HDI)

Bảng mạch in kết nối mật độ cao (HDI) sử dụng công nghệ mới nhất để tăng cường sử dụng bảng in trên cùng một khu vực hoặc nhỏ hơn. Điều này đã thúc đẩy những tiến bộ lớn trong các sản phẩm điện thoại di động và máy tính, dẫn đến các sản phẩm mới mang tính cách mạng. Điều này bao gồm máy tính màn hình cảm ứng, thông tin liên lạc 4G và các ứng dụng quân sự như điện tử hàng không và thiết bị quân sự thông minh.

Bảng mạch in kết nối mật độ cao H (HDI) có các đặc tính mật độ cao bao gồm micropore laser, dây mỏng và vật liệu mỏng hiệu suất cao. Mật độ tăng này hỗ trợ nhiều chức năng hơn trên một đơn vị diện tích. Bảng mạch in kết nối mật độ cao công nghệ cao (HDI) chứa nhiều lớp micropores chứa đầy đồng (bảng mạch in HDI cao cấp) có thể được sử dụng để tạo ra các kết nối phức tạp hơn. Những cấu trúc rất phức tạp này cung cấp các giải pháp dây cần thiết cho các chip có số pin lớn được sử dụng trong các sản phẩm công nghệ cao ngày nay.

Bảng mạch in kết nối mật độ cao (HDI)

Kiến trúc High Density Interconnection (HDI):

1+N+1 - Bảng mạch in có chứa các lớp kết nối mật độ cao.

I+N+I (Iâ ¥ 2) – Bảng mạch in có chứa hai hoặc nhiều lớp kết nối mật độ cao. Các lỗ nhỏ trong các lớp khác nhau có thể được sắp xếp xen kẽ hoặc xếp chồng lên nhau. Các micropores chứa đầy đồng nhiều lớp là phổ biến trong các thiết kế đầy thách thức.

Bảng kết nối mật độ cao (HDI) - Tất cả các lớp của bảng mạch in là các lớp kết nối mật độ cao cho phép dây dẫn trên bất kỳ lớp nào của bảng mạch in được kết nối tự do thông qua các lỗ nhỏ chứa đầy đồng xếp chồng lên nhau nhiều lớp ("bất kỳ lỗ dẫn lớp"). Điều này cung cấp một giải pháp kết nối đáng tin cậy cho các thành phần có số pin lớn rất phức tạp, chẳng hạn như CPU và chip GPU trên thiết bị cầm tay.

Hiệu suất nâng cao: Micropore

Các lỗ siêu nhỏ được hình thành bằng cách khoan laser, thường có đường kính 0,006 "(150 angstrom), 0,005" (125 angstrom) hoặc 0,004 "(100 angstrom). Chúng được căn chỉnh quang học với đường kính đĩa tương ứng, thường là 0,012"(300 angstrom), 0,010 "(250 angstrom) hoặc 0,002"(200 angstrom), vì vậy chúng có thể căn chỉnh quang học với đường kính đĩa tương ứng, dẫn đến mật độ dây cao hơn. Micropores có thể được thiết kế trực tiếp trên đệm hoặc lệch khỏi nhau. Chúng có thể được đan xen hoặc xếp chồng lên nhau. Chúng có thể được lấp đầy bằng nhựa không dẫn điện và được mạ với nắp đồng trên bề mặt hoặc chúng có thể được mạ điện trực tiếp để lấp đầy lỗ. Thiết kế micropore có giá trị khi cáp có khoảng cách tốt với BGA, chẳng hạn như chip có khoảng cách từ 0,8mm trở xuống.

Ngoài ra, micropores xen kẽ có thể được sử dụng khi định tuyến các yếu tố cách nhau 0,5mm; Tuy nhiên, hệ thống dây MicroBGA thông qua công nghệ dây kim tự tháp ngược (ví dụ: các phần tử 0,4mm, 0,3mm hoặc 0,25mm) yêu cầu các lỗ nhỏ xếp chồng lên nhau.

Với nhiều năm kinh nghiệm sản xuất các sản phẩm kết nối mật độ cao (HDI), Ipcb là nhà tiên phong trong thế hệ thứ hai của micropores hoặc stack micropores. True Copper Stacking Micropores được cung cấp bởi ipcb hỗ trợ các giải pháp cáp của MicroBGA.