PCB Teknik - RF birleştirilmiş devre tablosu sürücü teknolojisi

Dönüştürme ve etchback, sabit fleks basılmış devre tahtası CNC sürüştürmesinden önce, elektriksiz bakır patlaması veya direkt bakır elektroplatlaması önünde önemli bir süreçtir. Eğer sert fleks basılı devre tahtası güvenilir elektrik bağlantısını sağlamak için güvenilir elektrik bağlantısını sağlamak için güvenilir elektrik bağlantısını sağlamak için sert fleks basılı devre tahtaları ile birleştirmeli. Fleksibil basılı devre tahtası özel materyallerle oluşturulmuş ve ana materyal poliimit ve akrilik güçlü alkalilere dayanılmaz ve uygun de-drilling ve etchback teknolojileri seçildi. Sıcak fleks basılmış devre tahtası de-drilling ve etchback teknolojileri ıslak teknolojiye ve kuruyu teknolojiye bölüler. Bu iki teknoloji meslektaşlarla tartışılacak.

Sıcak fleks basılmış devre tahtası ıslak sürükleme ve etchback teknolojisi bu üç adımdan oluşur:

1. Bulking (aynı zamanda titreme tedavisi denir). Por duvarının altını yumuşatmak, polimer yapısını yok etmek için alkol etir sıkıştırıcı sıvı kullanın ve oksidasyon etkisi devam etmek kolay olabilir yüzeysel alanı arttırın. Genelde, butil karbitol por duvarı süslemek için kullanılır.

2. Oxidasyon. Amacı delik duvarı temizlemek ve delik duvarı yüklemek. Şu anda, Çin'de geleneksel olarak üç metod kullanılır.

(1) Koncentralan sülfürik asit metodu: Koncentralan sülfürik asit güçlü oksidize özellikleri ve su absorbsyonu olduğu için çoğunu karbonizize çevirebilir ve silahlı alkil sulfonatları oluşturabilir. Tepki formülü şu şekilde: CmH2nOn+H2SO4- mC+ Sırf sürücüsünü kaldırmak için nH2O'nun etkisi:

delik duvarının kirlenmesi konsantre sülfürik asit, tedavi zamanı ve çözümün sıcaklığıyla ilgili. Sürükleme topraklarını kaldırmak için kullanılan konsantrasyonun konsantrasyonu oda sıcaklığında 20-40 saniye daha az olmamalı. Eğer etchback gerekirse, çözümün sıcaklığı uygun bir şekilde artırılmalı ve tedavi zamanı uzunlanmalıdır. Koncentrasyon sülfürik asit sadece resin üzerinde çalışır ve cam fiber üzerinde etkili değil. Döşek duvarı konsantre sülfür asit tarafından etkilendikten sonra, cam fiber başı, fluoride ile tedavi edilmeli delik duvarından oluşacak (ammonium bifluoride ya da hidrofluorik asit gibi). fluoride, cam fiber kafasını tedavi etmek için kullanıldığında, süreç koşulları da cam fibriğin fazla korozyonun sebebi olan kötülük etkisini engellemek için kontrol edilmeli. Genel süreç böyle:

H2SO4: 10%

NH4HF2: 5-10g/l

Temperatur: 30 derece Celsius Zaman: 3-5 dakika

Bu yönteme göre, çarpılmış sağlam fleksiyonlu devre tahtası boğuldu ve etkilendi, sonra delik metal edildi. Metalografik analizi aracılığıyla, iç katının tamamen boğulmadığını, bakra katı ve delik duvarı sonuçlarında bulundu. Yapışma düşük. Bu nedenle, metallografik analizi sıcak stres deneyleri için kullanıldığında, delik duvardaki bakra katı kapanır ve iç katı kırıldı.

Ayrıca amonium bifluorid veya hidrofluorik asit çok zehirli ve wastwater tedavisi zordur. Daha önemli olan, poliimide konsantre sülfürik asit için de iner olması, bu yöntem de-drilling ve sıkı-flex bastırılmış devre tahtaları için uygun de ğil.

(2) Hromik asit metodu: Çünkü hromik asit güçlü oksidize özellikleri ve güçlü etkileme yetenekleri vardır, por duvarındaki polimer materyalinin uzun zincirini kırır, oksidize ve sulfonasyonu neden edir ve yüzeyde daha fazla üretir. Karbonil grup (-C=O), hidroksil grup (-OH), sulfonik asit grupı (-SO3H), etc., hidrofilik gruplarını geliştirmek için, delik duvarının yükünü ayarlayın ve delik duvarının boğulmasını ve topraklarını çıkarmasını sağlayan hidrofilik grupları. Etchback amacı. Genel süreç formülü böyle:

Chromic anhydride CrO3: 400 g/l

Sülfurik asit H2SO4: 350 g/l

Temperatur: 50- 60 derece Celsius Zaman: 10- 15 min

Bu yönteme göre, çarpılmış sağlam fleksi basılmış devre tahtası boğulmuş ve etkilenmişti, sonra delikler metal edilmişti. Metalografik analiz ve sıcak stres deneyleri metal deliklerinde yapıldı ve sonuçlar GJB962A-32 standartlarına tamamen uyuyordu.

Bu nedenle, hromik asit metodu da sağlam fleks basılı devre tahtalarının de-drilling ve etchback için uygun. Küçük işletmeler için bu yöntem gerçekten çok uygun, basit ve kolay işlemek ve daha önemlisi, maliyeti, fakat bu yöntem sadece Maalesef, zehirli bir madde hromik anhydride var.

(3) Alkalin potasyum permanganat metodu: Şu anda profesyonel teknoloji eksikliği yüzünden, çoğu PCB üreticileri hala sert bir çoklu katı sürüklenmiş devre tahtası de-drilling ve etchback teknoloji-alkalin potasyum permanganat teknolojisi, bu metodu tarafından sıkı -fleksibil yazılmış devre tahtası ile ilgilenmek için şiddetli bir sürü katı tahtasını takip ediyor. Yeryüzünde küçük eşsiz damlar oluşturmak için resin yüzeyini etkileyebilir, böylece delik duvarı patlama katmanının ve substratlarının bağlantı gücünü geliştirmek için yüksek sıcaklık ve yüksek alkali çevresinde oksidize ve çökülen resin kirlenmesi için potasyum permanganatı kullanır. Bu sistem genel sert çoklu katı tahtaları için çok etkili, fakat sert fleksiz basılı devre tahtaları için uygun değil çünkü sert fleksiz basılı devre tahtalarının ana vücudu izole edildi Temel materyal poliimidi alkali dirençli değil ve alkalin çözümünde yukarı sıcaklık ve yüksek alkali çevresinin bahsetmesine rağmen yukarı sıcaklık ve yüksek alkali çevresinde boşa çıkar. Eğer bu yöntem kabul edilirse, şiddetli fleks basılı devre tahtası o zamanda kırılmazsa bile, gelecekte sert fleks basılı devre tahtasını kullanarak ekipmanın güveniliğini çok azaltır.

3. Neutralizasyon. Oksidasyon tedavisinden sonra substrat sonraki süreç etkinleştirme çözümünü engellemek için temizlenmeli. Bu nedenle, neutralizasyon ve düşürme sürecinden geçmeli. Farklı oksidasyon metodlarına göre farklı neutralizasyon ve düşürme çözümleri seçildir.

Şu anda evde ve dışarıda popüler kuruyu yöntem plazma dekontaminasyonu ve etchback teknolojisi. Plazma kuvvetli fleks basılı devre tahtalarının üretimi için de kullanılır. Genellikle delik duvarını boşaltmak ve delik duvarının yüzeyini de ğiştirmek için. Tepki yüksek etkinleştirilmiş plazma, por duvarının polimer materyali ve cam fiber arasındaki gaz ve sert kimyasal tepki olarak görülebilir ve üretilmiş gaz üretimi ve bazı etkinleşmeyen parçacıklar vakuum pumpuğu tarafından uzaklaştırılır. Bu bir süreç. Dinamik kimyasal reaksiyon dengeleme süreci. Güçlü fleksiz basılı devre tahtalarında kullanılan polimer materyallerine göre, N2, O2 ve CF4 gazları genelde orijinal gaz olarak seçilir. Aralarında, N2 vakuum ve ısınma temizlemesinde bir rol oynuyor.

O2+CF4 karışık gazın plasma kimyasal tepkisinin şematik formülü:

O2+CF4O+OF+CO+COF+F+e-+…

Plazma

Elektrikli alanın hızlandırması yüzünden, o çok reaksif bir parçacık olur ve O ve F parçacığıyla bu şekilde polimer materyallerle tepki vermek için yüksek reaksif oksijen radikaları ve fluör radikaları oluşturur:

[C, H, O, N]+[O+OF+CF3+CO+F+…] CO2+HF+H2O+NO2+…

Plazma ve cam fiber reaksiyonu:

SiO2+［O+OF+CF3+CO+F+…］SiF4+CO2+CaL

Şimdiye kadar, kuvvetli fleks basılı devre tahtasının plazma tedavisi fark edildi.

O'nun C-H ve C=C ile atomik karbonilasyon tepkisinin polimer bağlantısının poler gruplarının toplamasını sağlayacağını fark etmeye değer.

O2+CF4 plazmasıyla tedavi edilen sağlam fleksiyonlu devre tahtaları ve O2 plazmasıyla tedavi edilen delik duvarının ıslanmasızlığını (hidrofilik) geliştiremez, aynı zamanda reaksiyonu kaldırabilir. Oturma sonunda ve reaksiyonun yarısı yolu sonunda tamamlanmış. Silahlı fleks bastırılmış devre tahtasını plasma teknolojiyle işledikten sonra çöplük ve dönüş teknolojisini kaldırmak için ve doğrudan elektroplatma yaptıktan sonra metallografik analizi ve metaliz deliklerdeki termal stres deneyleri gerçekleştiriler ve sonuçlar GJB962A-32 standartlarına tamamen uyuyor.

Toplam olarak, eğer sistemin ana materyallerinin özelliklerine göre uygun bir yöntem seçildiyse, bu kuruyu bir yöntem veya ıslak bir yöntem olup olmadığı, sağlam fleksik bağlantı tahtasının etkisini boşaltmanın amacı ulaştırılabilir.