Bo mạch đế DDR 4 lớp

Mẫu hàng khủng khiếp DDR

Cấu trúc kết nối mật độ cao

Tổng điện mạ lỗ, cấu trúc xếp lỗ

Các phương pháp trị liệu khác

Giấy tờ và bề mặt phẳng

Chất liệu

quá trình vận dụng của hãng hàng chuẩn đoán

Nửa chiêu bổ sung, khoan bằng laser,

Ứng dụng của hãng hàng chuẩn đoán

Điện thoại thông minh, máy tính, Internet của đồ đạc, thư điện tử

Tên đầy đủ của bộ nhớ DDR là DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM). DDR SDRAM lần đầu tiên được Samsung đề xuất vào năm 1996. Đây là thông số kỹ thuật bộ nhớ được đàm phán bởi tám công ty, bao gồm NEC, Mitsubishi, Fujitsu, Toshiba, Hitachi, Texas Instruments, Samsung và Hyundai, và đã được trao giải với AMD, VIA và SiS. Hỗ trợ từ các nhà sản xuất chipset. Nó là một phiên bản nâng cấp của SDRAM, vì vậy nó còn được gọi là "SDRAM II".

DDR là nguyên liệu bộ nhớ chính thống vào đầu thế kỷ XXI, và tất cả các sản phẩm chính thống của các nhà sản xuất băng vết lớn ủng hộ nó. Tên đầy đủ của DDR là DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM, Double Data Rate SDRAM). Độ thường biểu tượng DDR giống với tần số của SDRAM. Thông tin DDR là tần số hoạt động chủ yếu 100MHz, 133MHz, và 166MHz. Bởi vì bộ nhớ DDR có các đặc trưng của truyền dữ liệu với tần số kép, các phương pháp của tần số hoạt động*2 được dùng để nhận dạng bộ nhớ DDR, tức là DDR 2, DDR333 và DDR400, một số nhà sản xuất bộ nhớ DDR với tần số cao hơn để đáp ứng nhu cầu của người nhiệt. Sự thay đổi quan trọng nhất là phải truyền dữ liệu giao diện. Nó có thể thực hiện xử lý dữ liệu về sự tăng và giảm các cạnh của tín hiệu đồng hồ, để tốc độ truyền dữ liệu có thể đạt tới gấp đôi tỷ lệ SDR (liều dữ liệu đơn) SDRAM. Đối với các tín hiệu địa chỉ và điều khiển, chúng giống như SDRAM và được truyền đi chỉ trên đỉnh cao của đồng hồ.

Vì thế với mô-đun SDRAM, mô-đun DDR SDRAM sử dụng bảng mạch in 184-pin (chân), 4-6 lớp và giao diện điện được thay đổi từ "LVTTL" thành "SSTL2". Nó giống như mô-đun SDRAM trong các thành phần hoặc gói khác. Mô-đun DDR SDRAM có tổng cộng 184 chân và chỉ thiếu một khe cắm, không tương thích với mô-đun SDRAM. DDR SDRAM cũng khác SDRAM về nguyên tắc đặt tên. SDRAM được đặt tên theo tần số xung nhịp, chẳng hạn như PC100 và PC133. Và DDR SDRAM dựa trên khối lượng truyền dữ liệu làm nguyên tắc đặt tên, chẳng hạn như PC1600 và PC2100, đơn vị là MB / s. Vì vậy, DDR200 trong DDR SDRAM thực sự có đặc điểm kỹ thuật giống như PC1600 và khối lượng truyền dữ liệu là 1600MB / s (64bit * 100MHz * 2 ÷ 8 = 1600MBytes / s), và DDR266 và PC2100 giống nhau (64bit * 133MHz * 2 ÷ 8 = 2128MByte / s).

DDR SDRAM dựa trên thời gian trễ tín hiệu (CL; CAS Latency, CL đề cập đến số chu kỳ xung nhịp hệ thống sau khi nhận tín hiệu trước khi đọc. Nói chung, càng ngắn càng tốt, nhưng điều này cũng phụ thuộc vào giá trị cài đặt ban đầu của hạt bộ nhớ, nếu không nó sẽ gây ra sự mất ổn định của hệ thống) cũng khác nhau. Theo định nghĩa của Hiệp hội thiết kế và phát triển kỹ thuật điện tử chung (JEDEC) (số thông số kỹ thuật là JESD79): DDR SDRAM có hai độ trễ CAS, được chia thành 2ns và 2,5ns (ns là một phần tỷ giây). Thông số kỹ thuật CL = 2 cộng với PC 2100 nhanh hơn DDR SDRAM được gọi là DDR 266A và thông số kỹ thuật CL = 2,5 cộng với DDR SDRAM PC 2100 chậm hơn được gọi là DDR 266B. Ngoài ra, PC1600 DDR SDRAM chậm hơn không có một con số đặc biệt về vấn đề này.