Hassas PCB İmalatı, Yüksek Frekanslı PCB, Yüksek Hızlı PCB, Standart PCB, Çok Katmanlı PCB ve PCB Montajı.
En güvenilir PCB ve PCBA özel hizmet fabrikası.
PCB tahta teknolojisi tarafından geliştirilen integral pasif komponent teknolojisi bir çeşit elektronik fonksiyonu integre edebilir ve miniaturizasyonun ve sistem performansını birçok diskretli pasif komponentleri değiştirmek için geliştirilen avantajları var. Bu madde genellikle integral pasif komponent teknolojisinin geliştirilmesini ve IPD film teknolojisinin kullanımını kapasitörlerin, direktörlerin ve induktörlerin işlemesini anlamak için ve PCB tahta teknolojisinin geliştirmesinde IPD'nin etkisini tartışır.1. Elektronik teknolojinin geliştirilmesiyle, aktif elektronik komponentlerin birleşmesi mikro süreçlerden nanometreye kadar yapıldığından sonra, ve aktif komponentler ile pasif komponentler talebi önemli olarak arttırdı. Elektronik ürünlerin pazar geliştirme trendi ışık, ince ve kısa. Bu yüzden yarı yönetici süreci yeteneğin in geliştirilmesi aynı volumda aktif parçalarının sayısını büyük bir şekilde arttırdı. Pasiv komponentlerin sayısını destekleyen önemli arttırmasına rağmen bu pasif komponentleri yerleştirmek için daha fazla yer gerekiyor. Bu yüzden, bütün paketli aygıtların ölçüsü kesinlikle arttırılacak. Bu pazarın geliştirme trenden çok farklı. Payat bakımından toplam maliyeti pasif komponentler sayısına eşittir. Bu nedenle, pasif komponentlerin maliyetini ve uzayını azaltmak veya pasif komponentlerin performansını bile geliştirmek üzere çok fazla pasif komponentlerin kullanılması gerektiğine göre, şu and a önemli bir sorun. konulardan biri. IPD (Tümleşik Pasif Aygıtlar) teknolojisi, sensörler, RF transceiverler, MEMS, güç amplifikatörler, güç yönetimi birimleri ve dijital işlemciler, etc., kompleks integral pasif aygıtlar IPD ürünlerinin miniaturasyon ve geliştirilen sistem performansını sağlamak için çeşitli elektronik fonksiyonlarını birleştirebilir. Bu yüzden, tüm ürünlerin boyutunu ve a ğırlığını azaltıp, ya da mevcut ürünlerin gücünün içinde fonksiyonel eklenmesi, birleşmiş geçici komponent teknolojisi büyük bir rol oynayabilir. Son birkaç yıl içinde, IPD teknolojisi sistem paketi (SiP) ile ilgili önemli bir uygulama haline geldi ve IPD teknolojisi Moore'un yasasından öte birleştirilen çoklu fonksiyonalizasyon yolunu açacak. Aynı zamanda, PCB tahtalarının işleme IPD teknolojisini, IPD teknolojisinin integral avantajlarını aracılığıyla, paketleme teknolojisi ve PCB tahta teknolojisi arasındaki genişletim boşluğunu köprü edebilir. IPD bütünlenmiş pasif komponent teknolojisi ilk ticari teknolojisinden şimdiye kadar diskretli pasif komponentleri değiştirmek için gelişti ve ESD/EMI.RF, yüksek parlak LED ve dijital hibrid devreler gibi endüstri tarafından sürekli sürdürüldü.
2. IPD teknolojisi teknolojisinin ince filmlerin tanışması süreç teknolojisine göre kalın film sürecine ve ince film sürecine göre bölünebilir. Onların arasında, kalın film süreci teknolojisi düşük sıcaklık birlikte ateş edilmiş keramik LTCC (Düşük Temperature Co-kovan Ceramics) teknolojisi, HDI yüksek yoğunluk bağlantısı üzerinde kullanarak keramik ve PCB kullanarak pasif komponentler (İçeriden Passives) teknolojisi ile birlikte ateş edilmiş devre tahtaları içeriyor; devreler, kapasentörler, direktörler ve induktörler oluşturmak için genellikle yarı yönetici teknolojiyi kullanarak ince film IPD teknolojisi. LTCC teknolojisi keramik materyalleri substratlar olarak kullanır, kapsantörler ve rezisterler gibi pasif komponentleri keramik substratlarında yerleştirir ve komponentlerin uzayını büyük olarak azaltır. Ancak, katların sayısı arttıkça, üretim yükselmesinin zorlukları ve maliyeti. Bu yüzden LTCC komponentleri genellikle bir özel fonksiyonla devreler için kullanılır; PCB tahta teknolojisi, HDI içerikli komponentleri genelde dijital sistemlerde kullanılır, ve orada sadece dağıtılmış kaynaklama kapasiteleri, orta ve düşük precizit için uygun. Komponentlerin ölçüsü küçük olduğu için SMT ekipmanları çok küçük komponentlere yönetmek kolay değil. İçeri yazılmış devre tahtası teknolojisi büyüdüğüne rağmen, ürün özellikleri zayıf ve tolerans tam olarak yakalanamaz çünkü komponentler çok katı tahtasında gömülmüş ve bir sorun oluştuktan sonra değiştirmek veya tamir etmek zordur. LTCC teknolojisi ve PCB Board ile karşılaştırılmış komponent teknolojisi, ince film IPD teknolojisi, yüksek kesinlikle ve yüksek tekrarlıklı devreler ile. Küçük boyutların, yüksek güvenilir ve düşük maliyetlerin avantajları gelecekte IPD'nin en önemli yayınlığı olacak. Bu makale genellikle ince filmin IPD teknolojisini tanıtacak.3. Zayıf film bütünlenmiş pasif komponent teknolojisinin geliştirme durumu Bu film IPD teknolojisi, açıklama-geliştirme-kaplama-yayılma-etkisi gibi ince film süreçlerini kullanır. Bu süreç farklı dirençler, kapasiteler ve induktans komponentleri, ve pasif komponentleri bağlayan düşük induktans yeryüzü uçakları ve transmis hatlarını üretebilir. Küçük film yapısı aynı taşıyıcı altyapısı maddelerinde üretilmesi için uygun, süreç sadece gerekli komponent performansı ve doğruluk göstericilerine uymalı değil, aynı zamanda karmaşık değil ve maske sayısı (genellikle 6-10) gerekli. Her pasif komponent genelde bölge ve maliyetle yüzeysel yükselme teknolojisi ile yarışabilmek için 1 mm2 bölgesinden az çalışır. Mevcut IPD yapısına göre, geliştirme üreticileri böyle tanıtılır:(1) Telephus tarafından geliştirilen IPD, sadece pasif komponentler ile çizgiler için performansını geliştirebilecek kalın bakra sürecini kullanır. Filterler ve bölücüler, kalın baker metal katları (10 mm) ve silikon izolatıcı yüzeyleri bezsiz iletişim sistemlerine ve integral RF modullarına yüksek performansı yaratır ve düşük materyaller metal katları arasındaki parazitik kapasitesini azaltmak için uygun. (2) IMECIMEC'nin ince film teknolojisi de bağlantı çizgi olarak elektroplatılı bakır kullanır, BCB'nin dielektrik katı olarak ve Ni/Au katı son bağlantı yüzeyinde metal olarak kullanır, 4 metal katına kadar kullanır. (3) Dai NipponThe IPD resistors developed by Dai Nippon are mainly Ti/Cr, and the capacitors are formed by anodizing to form Ta2O5. Induktörler mikrostrip hatları ve spiral induktörleri ile tasarlanmış. (4) SyChip tarafından geliştirilen IPD, TaSi'yi dirençli materyal olarak kullanır, kapasitörün dielektrik materyali Si3N4, üst elektrode Al, aşağı elektrode TaSi ve induktor ve devre materyalleri hepsi aluminiyum tarafından yapılır. Bazı şirketler IPD.4 geliştirmek için MEMS sürecini kullanıyorlar. Zayıf film in yapısı ve süreç, pasif komponent teknolojisi, ince film süreç ve kalın film süreç arasındaki fark sonuç filmin kalıntısında. Genelde, o kadar kalın film'in kalınlığı 5 mil ~10 mil'den fazlasıdır. Küçük film sürecinin kalınlığı yaklaşık 0,01 mil ~1 mil. Eğer ince film süreci dirençler, kapasitörler ve induktörler oluşturmak için kullanılırsa, onları yapmak için farklı süreçler ve materyaller gerekiyor. Üç film teknolojisi yarı yönetici integral devre üretim sürecinde uygulanır ve teknoloji geliştirmesi oldukça büyüdür. Bu yüzden, süreç integrasyonu yaparken, sadece farklı komponentler arasındaki materyal uyumluluğuna dikkat etmek gerekir, sonra süreç tasarımı gerçekleştirilebilir. Genelde, ince film IPD integral pasif komponentler farklı ürün uygulamaları yüzünden farklı substratlarda oluşturulabilir. Altra silikon waferlerinden, aluminin keramik substratlarından ve cam substratlarından seçilebilir. Thin-film IPD integral pasif komponent teknolojisi, ince film direktörleri, kapasitörleri ve induktörleri birleştirebilir, süreç teknolojisi geliştirmesi de dahil: litografi işleme teknolojisi, ince film depozit işleme teknolojisi, işleme teknolojisi etkilemek, elektroplatma işleme teknolojisi, elektriksiz plating işleme teknolojisi. pasif komponentlerin integrasyonuna rağmen, aktif komponentlerin süreç, çoklu fonksiyonel gerekçelerini yerine getirmek için pasif komponentleri aktif komponent devrelerle birleştirmek için silikon waferlerde birleştirilebilir. (1) Film dirençlerinin işlemesi Thin film dirençlerinin genelde süreç sıkıştırılmasıyla oluşturulmuş, dirençlik materyali insulating substratı üzerinde elektroplatılır, sonra fotoresist ve etkin teknikleri tasarlanmış dirençlik değerini elde etmek için dirençlik örneğini işlemek için kullanılır. Materialler uygulamasında, TC'i düşünmek gerekiyor.
