Chất nền IC - Bàn luận về công nghệ gói mô- đun RF

Trong lĩnh vực liên lạc không dây, đã phát triển nhiều giải pháp hoà hợp khác nhlàu, Commentao gồm cả công nghệ xếp chip, gói hàng, gói trong gói và các loại ứng dụng khác Name ((Sip)) . Công nghệ này đã được áp dụng thành công trong các sản phẩm trí nhớ flash, xử lý đồ họa, và bộ xử lý tín hiệu, Và các ứng dụng của họ trong lĩnh vực tần số radio đang tăng cường nghiên cứu.
Các mô- đun RF là những sản phẩm có truyền và/hay chức năng nhận, mà bao gồm nhưng không giới hạn các thiết bị thụ động, RRF, power amplifiers (PA), Thiết bị chuyển, Bộ điều chỉnh điện, Pha lê, Comment. So với động cơ thụ động, thiết bị hoạt động như RF/ASIC/BB/MAC nhỏ với kích thước tương đối. Do đó, the integration of passive components (RCL, lọc, balun, đấu, Comment.) has an important impact on the Cỡ of the entire module or package.

Hiện, có chủ yếu ba loại Name mẫu hạm dùng trong mô- đun RF. Thứ nhất là ngụy tạo bằng plastic, dùng trong thiết bị khuếch đại năng lượng cơ bản do giá thấp của chúng, quá trình sản xuất trưởng, và kỹ năng nhiệt và điện tốt. Đối tượng này được sử dụng rộng rãi trong các mô- đun và các gói.

Thứ hai là công nghệ gốm có tác dụng với nhiệt độ thấp, dùng sứ học làm vật liệu đệm. Do cấu trúc đa lớp, kim loại dày và hằng số cấp cao, tính năng lượng cao chất lượng (Q) và khả năng chứa đủ lớn có thể được nhúng trong LCC.

The third type is a thin film (TF) passive device formed on silicon or gallium arsenide, mà được làm bằng một người nổi tiếng Mẫu giáo. These devices are sometimes referred to as integrated passive devices (IPD). Chúng không chỉ có các tác dụng ký sinh nhỏ và nhiệt độ về điện., nhưng cũng có khả năng cao hơn. Đặc trưng này đã mở đường cho ứng dụng trong các mô-đun nhỏ hơn..

The original RF module đã dùng sự kết nối dây của một con chip như một phương pháp tối tân.. Hôm, kết nối dây, Đảo hàn, và xếp nhiều chip được dùng trong mô- đun RF cùng lúc. Mỗi mô- đun bên trên sử dụng một loạt các phương pháp giao hợp, và mỗi giải pháp đều có lợi thế và bất lợi. Bài báo này sẽ giới thiệu Name giải riêng.

Laminated substrate package
Laminates are commonly referred to as in bảng mạch((nổ)), đã được sử dụng rộng rãi trong các hãng hàng hóa, và chúng vẫn chiếm được một phần lớn các sản phẩm được gói. Nói chung, Chỉ có hai tới bốn lớp là đủ cho môđun RF Name. Như đã hiển thị trong hình 1, sản phẩm mô- đun xếp, Hai bào mòn được mạ ngược trên một phương diện đa cấp. Cùng một lúc, 0201 surface mount (SMT) devices are also mounted in SiP applications, và kết nối mạch thứ hai dùng hệ thống BGA được cài đặt.

Bố cục Chip Name đã được sử dụng rất thành công trong bộ nhớ flash, nhiếp ảnh và kỹ thuật số IC.. Trong thị trường trí nhớ flash, we have seen a vertical stack of multi-layer chips (7 to 8) connected by gold wire bonding. Đây. Name Công nghệ giảm đáng kể kích thước của mô- đun, giảm chi phí của sản phẩm ứng dụng.

Tuy, ở RF Name Name, nó cần cân nhắc để ngăn cản hiệu suất RF bị làm hư hại., đặc biệt là các tác dụng ký sinh gây ra Name, như tự cảm nhận kết nối dây, và can thiệp giữa con chip và bảng mạch trong phương pháp hàn điện ngược.. Những gói hàng này cho các sản phẩm tần số thấp và kỹ thuật số không phải là vấn đề., nhưng nó ảnh hưởng đến khả năng RF của con chip RF và phải được xem xét trong thiết kế gói.. Hiệu ứng này thường có thể được mô hình hóa bằng mạch RCL và các thành phần thụ động.. Đối với các tính chất ba chiều của gói, electromagnetic (EM) simulation tools can be used to derive these models.

Những mẫu này có thể được dùng với mẫu chip để kiểm tra khả năng điện tử tổng thể. Một gói RF thường được dành riêng cho một ứng dụng duy nhất. Do đó, thiết kế cấp hệ thống cần phải được kiểm tra cho một gói mới, bao gồm cả mô hình IC của nó và mô hình gói ký sinh của nó.

Gói đồ gốm với nhiệt độ thấp

Công nghệ chán Trường dùng cấu trúc nhiều lớp để thực hiện các thành phần thụ động, như RCL hay những khối chức năng tương ứng. Độ dày của lớp kính giá trị của mỗi lớp trải từ 20um tới 100um, và độ dày tổng chồng của các lớp 10-20 bắt nguồn từ 0.♪ 5mm tới mm ♪. Mức độ thấp của mỗi lớp thường là 7.0 đến 11.0. Sự hấp dẫn thường được thực hiện qua một xoắn ốc được phép bởi quy tắc thiết kế.. Mức độ của sự tự nhiên, nó có thể đi qua nhiều lớp. Các tụ điện cũng được làm theo nhiều lớp và có giá trị tụ điện lớn hơn.. Những bức tường này có thể được thêm vào các lớp gốm để tạo dựng các cự li.

In a multilớp structure of, Bộ dẫn đầu làm theo xoắn ốc và lớp kim loại dày có thể đạt giá trị Q cao hơn. Khi tần số hoạt động là 1.Không. GHz tới 6.Không. GHz., Giá trị này có thể với tới 95.05239; y;189; 58; 50.0, làm cho máy lọc RF ít mất trên nền của LCC dễ dàng hơn.. Hộp tụ điện sandwich được tạo ra bởi cấu trúc đa lớp của LCC có thể cung cấp đủ tụ điện cho hệ thống RF, khi có điện hâm mô cao hơn và hiệu suất ESD tốt hơn.

Có rất nhiều ứng dụng có thể dùng CDC như một gói chứa phương tiện. Thiết bị LPC có thể dùng riêng làm thành phần đơn độc., such as surface mount devices (SMT) in SiP applications. Lớn cấp chán Trường hợp cũng có thể dùng làm phương tiện đỡ đẻ., có thể nhúng các thiết bị thụ động, cung cấp kết nối nhập và xuất dưới dạng LPA hay QFN.. Vì chất dẫn nhiệt tốt của nó, máy khuếch đại năng lượng thường dùng CDC như một phương tiện.

Dùng thiết bị thụ động Name

a. Integrated passive device (IPD) as a device in SiP

In the two Name những kế hoạch đã đề cập tới phương diện này, Kích thước của cái trước là tương đối lớn vì không thể nhúng nhiều thành phần thụ động vào người, đặc biệt là tụ điện lớn. Người này tương đối nói đủ dẫn đầu và khả năng với yếu tố chất lượng cao có thể sản xuất trong phương diện này.

Hiện nay xu hướng là thiết bị thụ động nhỏ hơn và nhỏ hơn và tiếp tục giảm kích thước tổng thể của mô- đun hay các gói hàng. Đến giờ, Công nghệ của thiết bị phim mỏng, dù có trên một chất ức chế silicon hay một nền đất của thạch tín tín là công nghệ có mật độ tụ điện cao nhất. Bàn 1 so sánh mật độ tụ độ của ba công nghệ.

Cho một tụ điện 5spF, như là chốt, size, và độ dày, Thiết bị mỏng manh cạnh tranh hơn những thiết bị riêng. The smaller form factor makes the thin-film involved thụ Thiết bị more appropriate for RF modules and SIP applications.. For larger-capacity capacitors (for example, greater than 100pF), Dùng một cách riêng có lợi thế, và các tụ điện lớn cũng được lắp vào bảng mạch dưới dạng SMT.. Thiết bị SMB xuất hiện trên thị trường. Thiết bị thu nhỏ này làm cho kích cỡ của gói nhỏ hơn, nhưng giá của họ khá cao, tăng giá của gói hàng.

By choosing an appropriate substrate and using a thick metal layer (such as 8um), Bộ dẫn đầu cao Q có thể sản xuất trong IPD. Nhiều Name Các nhà sản xuất hiểu quá trình sản xuất IPD, và tiến trình này có giá trị cao hơn.

KCharselect unicode block name, như bộ lọc, Name, Description, Comment., tận dụng lợi thế của các yếu tố hình dạng nhỏ, để có thể được sử dụng rộng rãi trong việc sản xuất mô- đun RF nhỏ gọn và gọn. Khả năng tụ nhiên liệu hiển thị trên Bàn 1 cho thấy có nên dùng một phương diện ức chế silicon hay một phương diện thạch tín gì đó., Dùng thiết bị thụ động tổng hợp để làm gói nhỏ nhất.

b. Chip size module package (CSMP)
The Name phát triển kỹ thuật là làm cho mô- đun hoặc Sip nhỏ hơn và mạnh hơn. Thiết bị tình cảm được sản xuất bởi công nghệ IPD, là ứng viên của chúng tôi. Việc hòa hợp với bánh quy loại bỏ nhu cầu cho phương tiện chứa truyền thống, và các khối năng lượng RCL và RF đã được thiết kế gần con chíp.. Việc này không chỉ làm giảm kích cỡ của gói, nhưng cũng có tác dụng ký sinh nhỏ hơn và hiệu suất điện tốt hơn..

Ở rè ChipPAC, Chúng tôi đã phát triển một công nghệ mới sử dụng một IPO lớn./Lồng silicon as the backplane structure to carry other integrated circuits (RFIC and/or BBIC) and surface mount devices. Mọi kết nối mạch, đầu, và bộ ngực được làm trong IPD/silicon carrier. The module consists of a large IPD chip (10mm*10mm*0.25mm) as the bottom plate, và RF và BBC đã được hàn lại ở đáy biển.. Các viên solder được sắp xếp dọc cả hai phía., và độ cao của quả bóng phải đủ lớn để có đủ không gian cho con chip được hàn hạt với IPD.

Khi mô- đun trở nên nhỏ hơn, các thành phần và mạch bị nén ở một vùng nhỏ hơn. Nói cách khác, khoảng giữa mạch thiết bị là nhỏ hơn. Trong chế độ hòa hợp này, sự toàn vẹn của tín hiệu đôi khi trở thành vấn đề. Các công cụ mô phỏng điện từ có thể được dùng để phân tích mạch chủ và can thiệp dây dẫn, để đảm bảo khả năng điện của sản phẩm được gói ra trước khi nó được sản xuất.

Ví dụ, trong một gói gồm cả các con chip RF và ban nhạc nền (mô- đun CSMP), sự can thiệp lẫn nhau giữa các kênh truyền tin (TX) và kênh nhận (RX) và sự can thiệp lẫn nhau giữa kênh nhận (RX) và đồng hồ nền chính. Mọi sự nhiễu đều phải được kiểm tra bằng mô phỏng điện từ. Việc giảm thiểu sự nhiễu gây ra bởi thứ hai đặc biệt quan trọng, bởi vì dàn âm đồng hồ tần số chính của ban nhạc có thể rơi xuống dây mật khẩu tần số radio, che giấu tín hiệu nhận được đã yếu trong liên lạc không dây.

Concluding remarks
The stack package has the advantages of low cost, Dễ dàng sản xuất, và năng lượng nhiệt và điện tử tốt. Nó phù hợp với hầu hết các mô- đun tần số radio; Trường hợp này có các thành phần thụ động được xây dựng trên mặt đất., và một kích cỡ tổng thể nhỏ hơn, Độ hấp dẫn cao giá trị của Q và tụ điện lớn cũng có thể được xây dựng trong trung gian CLCC.. Thêm nữa., Các đặc tính nhiệt độ tốt khiến CDCC cùng được sử dụng trong thiết bị khuếch đại năng lượng. Name; IPD has a small form factor and is very suitable for Gói môđun RF. Là nhà chứa công nghệ IPD, CSMP có thể cung cấp gói hợp nhất. Cả RF và BBS có thể được tổng hợp trong một gói nhỏ bằng CSMP..