Aşık sıcaklık aynı şekilde ateş edilmiş Ceramic PCB( LTCC PCB)

LTCC keramik altı teknolojisi, yeni keramik maddeleri ve mikrodalga kalın film integrasyon teknolojisi kullanarak karmaşık mikrodalga ve dijital devrelerin üçboyutlu bir integrasyon teknolojidir. Monolit integral teknolojinin hızlı gelişmesi ile, aktif aygıtların integrasyonu daha yüksek ve daha yüksek olacak, geçici aygıtların integrasyonu çok önemli yapan bir seviye ulaşıyor. LTCC teknolojisi, direktör, kapasitör, induktör, filtr ve birleştirici gibi pasif cihazların integrasyon gerekçelerini uygulayabilir.

LTCC substratının dirençliği 10 Ω, 100 Ω, 1K Ω ve 10K Ω respectively. Yüzey dirençliği ayarlama yönteminin doğruluğu %1'den az ve içerideki dirençliğin doğruluğu %30'den az. Diğer pasif aygıtlar bilgili materyal parametrelerine göre dizayn edilebilir. LTCC alt katı, 40 katlara kadar çok katı dönüştürücü olabilir.

Low Temperature Co-fired Ceramic PCB(LTCC PCB)

Son yıllarda, keramik substrat teknolojisi hızlı gelişti, özellikle geleneksel keramik substrat tabanında, yüksek sıcaklık kemik substrat ve düşük sıcaklık CO kovan keramik substrat geliştirildi. Yüksek güç devrelerinin yüksek yoğunluğu toplantısında keramik substratını daha derin ve daha geniş bir uygulama yapar. Daha düşük sıcaklık birlikte birçok katmanın altını ateş ettiği yeni geliştirilmiş mikro toplantı altyapısıdır. Bu da kalın film sürecinin avantajlarını ve yüksek sıcaklık birlikte ateş etmesini konsantre ediyor. On yıldan fazla sürede bu çeşit altyapı hızlı geliştirildi. Yüksek yoğunlukta, yüksek hızlı devre tahtası olarak, bilgisayar, iletişim, füzel, roket, radar ve diğer alanlarda geniş olarak kullanılır. Örneğin, ABD'nin Dupon şirketi 8 katı düşük sıcaklığı kullanır ve sıkıştırma füzesinin test devresinde çoklu katı altını ateş etti. Japonya'nın Fujitsu 61 katı düşük sıcaklığın birlikte, vp2000 seri süper bilgisayarının çoklu çip modulu oluşturmak için keramik substratını kullanır ve NEC şirketi 78 katı düşük sıcaklığın düşük sıcaklığın birlikte 225 ñ 225 kare mm bölgesinde çoklu katı substratını ateş etti. 11540 I/O terminalleri içerir ve 100 VLSI çipine kadar yükleyebilir.

Daha düşük sıcaklık birlikte birçok katı keramik substratı birçok keramik substratlardan yapılır. Her keramik substrat, genellikle sürücü grubuna bağlı keramik maddeler ve sürücü devrelerden oluşur. Keramik katının deliklerinden dolayı yönetici maddelerle dolu. İşletim grubu çizgileri farklı keramik katlarda üçboyutlu devre a ğı oluşturmak için bağlıdır. IC çipi çok katı keramiklerin üst katında kuruldu. Bütünleştirilmiş blok, birçok katı keramik substratındaki devre ile birbirine bağlantı devresi oluşturmak için pinlerle karıştırılır. Üstratın yüzeyinde metal yönetici katı, keramik substratının değerlendirme sürecinde önceden oluşturulmuş ve altının altında iğne şeklinde formülü terminaller var. Bu şekilde, birlikte çok katı keramik substratı yüksek yoğunlukla, yüksek hızlı ve yüksek güvenilir ile üçboyutlu bir yapı oluşturmak için mikro komponentleri toplamak için kullanılır.

Typical structure of LTCC ceramic PCB

Diğerlerle karşılaştı PCB teknolojileri, LTCC PCB birçok avantajı var.

1. Keramik materyaller yüksek frekans, yüksek hızlı yayınlama ve geniş pasabandın mükemmel özellikleridir. LTCC malzemelerinin dielektrik konstantı farklı maddelerlere göre geniş bir menzilde değişebilir. Yüksek yönetici maddeler olarak kullanılan metal maddelerin kullanımı devre sisteminin kalite faktörünü geliştirebilir ve devre tasarımının fleksibiliyetini arttırabilir;

2. Yüksek sıcaklık ve yüksek sıcaklık direnişliğinin ihtiyaçlarına uyum sağlayabilir ve sıradan PCB devre tahtasından daha yüksek sıcaklık hareketi olabilir. Elektronik ekipmanların sıcaklık patlaması tasarımını çok iyileştirir ve güvenilirle yüksek güvenliğe uygulayabilir ve güçlü çevreye uygulayabilir ve hizmet hayatını uzunlayabilir.

3. Yüksek bir sürü katlı devre tahtası oluşturulabilir ve çoklu pasif komponentler içerisinde oluşturulabilir ki paketleme komponentlerin maliyetinden kaçırabilir. Üç boyutlu devre tahtasında yüksek katlar, pasif ve aktif bir integrasyon sahip olup, devre toplantısının yoğunluğunu geliştirmeye ve volume ve ağırlığını daha da azaltmaya yardımcı olabilir.

4. Örneğin, LTCC ve ince film düzenleme teknolojisinin birleşmesi daha yüksek birleşme yoğunluğunu ve daha iyi bir hibrid çoklu katmanlık substrat ve hibrid çoklu çip modulunun daha iyi performansını sağlayabilir;

5. Bitirmiş üretim süreci bitirmeden önce tüm üretim ve bağlantı deliklerinin kaliteli incelemesi için uygun bir şekilde, bu yüzden çok katmanın süslemesinin yiyeceğini ve kalitesini geliştirmeye, üretim döngüsünü kısaltmak ve maliyeti azaltmak için sağlayacaktır.

6. Enerji kurtarma, materyal kurtarma, yeşil ve çevre koruması komponent endüstri geliştirmesinde ilginç bir tren oldu. LTCC ayrıca bu geliştirme talebini sağlıyor ve üretim sürecinin en büyük ölçüde üretilmesi nedeniyle çevre kirliliğini azaltıyor.