4層DDR基板

DDR包載體的特點

高密度結結構

填孔電鍍及堆孔結構

各種表面處理方法

板材和表面平整度要求

樹脂填充

DDR包載體應用流程

半添加法，雷射鑽孔，

DDR封裝載體的應用

智能手機、電腦、物聯網產品、資訊電子產品

DDR記憶體的全稱是DDR SDRAM（雙資料速率SDRAM）。 DDR SDRAM於1996年由3星首次提出。 它是由八家公司協商製定的記憶體規格，其中包括NEC、3菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、3星和現代，並已獲得AMD、VIA和SiS的獎項。 晶片組製造商的支持。 它是SDRAM的升級版本，囙此也稱為“SDRAM II”。

DDR是21世紀初的主流記憶體規範，主要晶片組製造商的所有主流產品都支持DDR。 DDR的全稱是DDR SDRAM（雙資料速率SDRAM，雙資料速率SDRAM）。 DDR的標稱頻率與SDRAM的標稱頻率相同。 截至2017年，DDR工作頻率主要為100MHz、133MHz和166MHz。 由於DDR記憶體具有雙速率資料傳輸的特點，在識別DDR記憶體時採用了工作頻率*2的方法，即DDR200、DDR266、DDR333和DDR400，一些記憶體製造商也推出了更高頻率的DDR記憶體，以滿足愛好者的需要。 最重要的變化是介面資料傳輸。 它可以對時鐘訊號的上升沿和下降沿進行資料處理，使資料傳輸速率達到SDR（單資料速率）SDRAM的兩倍。 至於定址和控制訊號，它們與SDRAM相同，僅在時鐘上升沿傳輸。

與SDRAM模塊相比，DDR SDRAM模塊採用184針4-6層印刷電路板，電力介面由“LVTTL”改為“SSTL2”。 它與其他組件或套裝軟體中的SDRAM模塊相同。 DDR SDRAM模塊共有184個引脚，僅缺少一個插槽，這與SDRAM模塊不相容。 DDR SDRAM在命名原則方面也不同於SDRAM。 SDRAM根據時鐘頻率命名，如PC100和PC133。 DDR SDRAM以資料傳輸量為命名原則，如PC1600和PC2100，組織為MB/s。囙此，DDR SDRAM中的DDR200實際上與PC1600的規格相同，資料傳輸量為1600MB/s（64比特*100MHz*2÷8=1600MBytes/s），DDR266和PC2100相同（64比特*133MHz*2÷8=2128MB/s）。

DDR SDRAM是基於訊號延遲時間（CL；CAS延遲，CL是指接收到訊號後讀取前的系統時鐘週期數。一般來說，越短越好，但這也取決於記憶體粒子的原始設定值，否則會導致系統不穩定）也不同。 根據聯合電子工程設計與開發協會（JEDEC）的定義（規格編號為JESD79）：DDR SDRAM有兩個CAS延遲，分為2ns和2.5ns（ns是十億分之一秒）。 較快的CL=2+PC 2100規格DDR SDRAM稱為DDR 266A，較慢的CL=2.5+PC 2100規格DDR SDRAM稱為DDR 266B。 此外，速度較慢的PC1600 DDR SDRAM在這方面沒有特殊編號。