Substrat keramik DPC

Substrat keramik DPC (Plat Direkt Copper), juga dikenali sebagai substrat keramik plat tembaga langsung, adalah jenis baru substrat keramik yang menggabungkan sirkuit filem tipis dan teknologi proses elektroplating. Ia tidak hanya digunakan dalam cahaya tradisional seperti pentas, landscape dan lampu depan kereta, tetapi juga dalam pakej komponen kuasa tinggi seperti laser yang mengeluarkan permukaan guati menegak (vcsel), dan juga termasuk diod yang mengeluarkan cahaya ultraviolet (UV LED) dan medan lain. Secara singkat, substrat keramik DPC, yang menggabungkan keuntungan teknologi pemprosesan keramik dan teknologi bahan, akan mempunyai banyak ciri-ciri seperti konduktiviti panas tinggi, izolasi tinggi, ketepatan sirkuit tinggi, rata permukaan tinggi, dan koeficien pengembangan panas yang sepadan dengan cip.

Substrat keramik DPC adalah produk proses baru yang dikembangkan dengan pembangunan sirkuit integrasi kuasa tinggi dan saiz kecil. Oleh itu, boleh dikatakan bahawa produk ini akan memegang kedudukan utama dalam industri substrat keramik di masa depan.

Ciri-ciri substrat keramik DPC: konduktiviti panas tinggi, izolasi tinggi, resolusi sirkuit tinggi, rata permukaan tinggi, dan ikatan logam-keramik tinggi.

Substrat pakej adalah pautan kunci untuk menyambung laluan penyebaran panas dalaman dan luaran. Ia boleh menyediakan sambungan elektrik, perlindungan, sokongan, penyebaran panas, pengumpulan dan fungsi lain untuk cip untuk mencapai pin-berbilang, mengurangkan saiz produk pakej, meningkatkan prestasi elektrik dan penyebaran panas, dan densiti ultra-tinggi Atau tujuan modularisasi multi-cip.

Dengan penataran terus menerus teknologi dalam tahun-tahun terakhir, kuasa input cip telah menjadi lebih tinggi dan lebih tinggi. Untuk produk kuasa tinggi, substrat pakej memerlukan isolasi elektrik tinggi, konduktiviti panas tinggi, dan koeficien pengembangan panas yang sepadan dengan cip. Pada masa lalu, ia dikemas pada papan PCB logam, dan lapisan yang mengisolasi masih diperlukan untuk menyadari pemisahan termoelektrik. Kerana konduktiviti panas yang sangat buruk lapisan pengisihan, panas tidak berkoncentrasi pada cip pada masa ini, tetapi ia berkoncentrasi dekat lapisan pengisihan di bawah cip. Apabila kuasa yang lebih tinggi digunakan, masalah penyebaran panas akan muncul. Ini jelas tidak sepadan dengan arah pembangunan pasar.

PCB ceramic bracket, PCB ceramic substrate

Substrat keramik DPC boleh menyelesaikan masalah ini, kerana keramik sendiri adalah penyesuaian dan mempunyai prestasi yang baik penyebaran panas. Papan sirkuit keramik DPC boleh betulkan cip pada keramik secara langsung, jadi tidak perlu membuat lapisan yang mengisolasi pada keramik.

Substrat keramik DPC juga mempunyai pelbagai keuntungan

Kehilangan komunikasi rendah-konstan dielektrik bahan keramik sendiri membuat kerugian isyarat lebih kecil.

konduktiviti panas tinggi-konduktiviti panas keramik alumina adalah 15ï½™35 w/mk, dan konduktiviti panas keramik nitrid aluminium adalah 170ï½™230 w/mk. Panas pada cip dilakukan secara langsung ke helaian keramik tanpa lapisan yang mengisolasi. Boleh mencapai penyebaran panas yang relatif lebih baik.

Sebuah koeficien pengembangan suhu yang lebih sepadan-bahan cip adalah secara umum Si (silikon) GaAS (arsenid galium), dan koeficien pengembangan suhu keramik dan cip adalah dekat, dan tidak akan menghasilkan terlalu banyak deformasi apabila perbezaan suhu berubah secara drastik, menyebabkan masalah seperti penyelesaian wayar, tekanan dalaman, dll.

Kekuatan ikatan tinggi-Kekuatan ikatan antara lapisan logam dan substrat keramik produk papan sirkuit keramik Batu adalah tinggi, dan maksimum boleh mencapai 45MPa (kekuatan helaian keramik dengan tebal lebih dari 1mm).

Rambut murni melalui lubang-batu proses DPC keramik menyokong PTH (dilapisi melalui lubang) / Vias (kunci).

Suhu-keramik operasi tinggi boleh menahan siklus suhu tinggi dan rendah dengan perubahan besar, dan bahkan boleh beroperasi secara biasa pada suhu tinggi 600 darjah.

Isolasi elektrik tinggi-bahan keramik sendiri adalah bahan isolasi dan boleh menahan tenaga pecah tinggi.

Perkhidmatan tersendiri--Silicom boleh menyediakan perkhidmatan tersendiri mengikut keperluan pelanggan, dan menjalankan produksi massa mengikut lukisan desain produk dan keperluan yang diberikan oleh pengguna. Pengguna boleh mempunyai lebih banyak pilihan dan lebih manusia

Tidak.

Proses substrat DPC, menggunakan kaedah penutup teknologi-vakum penghasilan filem tipis untuk membongkar dan ikat ke lapisan komposit logam tembaga pada substrat keramik, sehingga tembaga dan substrat keramik mempunyai kekuatan super ikatan, dan kemudian menggunakan photoresist micro-bayangan cahaya kuning untuk dikekspos semula, dikembangkan, proses pencetakan dan pembuangan filem menyelesaikan produksi sirkuit, Dan akhirnya meningkatkan tebal sirkuit dengan elektroplating/plating tanpa elektro. Selepas photoresist dibuang, produksi sirkuit metalisasi selesai.

Substrat keramik DPC lebih sesuai dengan arah pembangunan masa depan dengan ketepatan tinggi, ketepatan tinggi dan kepercayaan tinggi. Untuk pembuat PCB, substrat keramik DPC adalah pilihan yang lebih mudah dilakukan. IPCB akan terus bekerja keras untuk mencipta produk berkualiti tinggi, menyediakan kepada pelanggan produk dan perkhidmatan yang lebih puas, dan mencapai kerjasama menang-menang dengan pelanggan.