Papan Substrate DDR 4-lapisan

Karakteristik pembawa pakej DDR

Struktur persatuan densiti tinggi

Name

Kaedah rawatan permukaan berbeza

Keperlukan lapisan helaian dan permukaan

Semula mengisi

Proses aplikasi pembawa pakej DDR

Kaedah tambahan setengah, pengeboran laser,

Aplikasi pembawa pakej DDR

Telefon cerdas, komputer, Internet produk benda, produk mesej elektronik

Nama penuh memori DDR adalah DDR SDRAM (Kadar Data Dua SDRAM). DDR SDRAM pertama kali diusulkan oleh Samsung pada 1996. Ia adalah spesifikasi ingatan yang diunding oleh lapan syarikat, termasuk NEC, Mitsubishi, Fujitsu, Toshiba, Hitachi, Texas Instruments, Samsung dan Hyundai, dan telah diberi dengan AMD, VIA, dan SiS. Sokongan dari pembuat set cip. Ia adalah versi SDRAM yang ditatar, jadi ia juga dipanggil "SDRAM II".

DDR adalah spesifikasi memori aliran utama pada awal abad ke-21, dan semua produk aliran utama dari pembuat set cip utama menyokongnya. Nama penuh DDR adalah DDR SDRAM (Kadar Data Dua SDRAM, Kadar Data Dua SDRAM). Frekuensi nominal DDR adalah sama dengan yang SDRAM. Sejak 2017, frekuensi operasi DDR adalah terutama 100MHz, 133MHz, dan 166MHz. Kerana memori DDR mempunyai ciri-ciri penghantaran data kadar ganda, kaedah frekuensi operasi*2 diterima dalam pengenalan memori DDR, iaitu, DDR200, DDR266, DDR333 dan DDR400, beberapa penghasil memori juga telah memperkenalkan memori DDR frekuensi yang lebih tinggi untuk memenuhi keperluan peminat. Perubahan yang paling penting adalah dalam pemindahan data antaramuka. Ia boleh melakukan pemprosesan data pada pinggir naik dan jatuh isyarat jam, sehingga kadar pemindahan data boleh mencapai dua kali lipat daripada SDR (Kadar Data tunggal) SDRAM. Adapun isyarat alamat dan kawalan, ia sama seperti SDRAM dan hanya dihantar pada pinggir naik jam.

Berbanding dengan modul SDRAM, modul SDRAM DDR menerima papan sirkuit dicetak 184-pin (pin), 4-6 lapisan, dan antaramuka elektrik diubah dari "LVTTL" kepada "SSTL2". Ia sama dengan modul SDRAM dalam komponen atau pakej lain. Modul SDRAM DDR mempunyai total 184 pin dan hanya satu slot hilang, yang tidak serasi dengan modul SDRAM. DDR SDRAM juga berbeza dari SDRAM dalam terma prinsip nama. SDRAM dinamakan mengikut frekuensi jam, seperti PC100 dan PC133. Dan DDR SDRAM berdasarkan volum pemindahan data sebagai prinsip nama, seperti PC1600 dan PC2100, unit adalah MB/s. Jadi DDR200 dalam DDR SDRAM sebenarnya spesifikasi yang sama dengan PC1600, dan volum pemindahan data ialah 1600MB/s (64bit*100MHz*2÷8=1600MBytes/s), dan DDR266 dan PC2100 adalah sama (64bit*133MHz*2÷ 8=2128MBytes/s).

DDR SDRAM berdasarkan masa lambat isyarat (CL; CAS Latency, CL merujuk kepada bilangan siklus jam sistem selepas menerima isyarat sebelum membaca. Secara umum, semakin pendek semakin baik, tetapi ini juga bergantung pada nilai tetapan asal bagi partikel memori, jika tidak ia akan menyebabkan ketidakstabilan sistem) juga berbeza. Menurut definisi Kesatuan Rancangan dan Pembangunan Kecerunan Elektronik Perkongsian (JEDEC) (nombor spesifikasi ialah JESD79): DDR SDRAM mempunyai dua lambat CAS, dibahagi kepada 2ns dan 2.5ns (ns adalah satu bilion dari kedua). Spesifikasi CL=2 tambah PC 2100 lebih cepat DDR SDRAM dipanggil DDR 266A, dan spesifikasi CL=2.5 tambah PC 2100 lebih lambat DDR SDRAM dipanggil DDR 266B. Selain itu, PC1600 DDR SDRAM yang lebih lambat tidak mempunyai nombor istimewa dalam hal ini.